Extraction of Virtual-Source Injection Velocity in sub-100 nm III-V HFETs за авторством Brar, B., Kim, D. H., del Alamo, Jesus A., Antoniadis, Dimitri A.

Отримати повний текст
Отримати повний текст

50-nm E-mode In[subscript 0.7]Ga[subscript 0.3]As PHEMTs on 100-mm InP substrate with f[subscript max] > 1 THz за авторством del Alamo, Jesus A., Kim, Dae-Hyun, Chen, Peter, Ha, Wonill, Urteaga, Miguel, Brar, B.

Отримати повний текст

L[subscript g] = 60 nm recessed In[subscript 0.7]Ga[subscript 0.3]As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with Al[subscript 2]O[subscript 3] insulator за авторством Kim, D.-H., Li, J., Kuo, J.-M., Pinsukanjana, P., Kao, Y.-C., Chen, P., Papavasiliou, A., King, C., Regan, E., Urteaga, M., Brar, B., Kim, T.-W., del Alamo, Jesus A., Antoniadis, Dimitri A.

Отримати повний текст
Отримати повний текст

Thermal considerations for advanced SOI substrates designed for III-V/Si heterointegration за авторством Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Yang, N., Liu, W. K., Lubyshev, D., Fastenau, J. M., Wu, Y., Urteaga, M., Ha, W., Bergman, J., Brar, B., Drazek, C., Daval, N., Benaissa, L., Augendre, E., Hoke, William E., LaRoche, J. R., Herrick, K. J., Kazior, T. E.

Отримати повний текст
Отримати повний текст