Load deflection analysis for determining mechanical properties of thin films with tensile and compressive residual stresses por Bulsara, Mayank T. (Mayank Thakordas)

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Materials issues with the integration of lattice-mismatched In Inx̳Ga₁₋x̳As devices on GaAs por Bulsara, Mayank T. (Mayank Thakordas)

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Materials properties and dislocation dynamics in InAsP compositionally graded buffers on InP substrates por Jandl, Adam Christopher, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A.

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Silicon CMOS Ohmic Contact Technology for Contacting III-V Compound Materials por Pacella, Nan Y., Mukherjee, Kunal, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A.

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Controlling Epitaxial GaAs[subscript x]P[subscript 1-x]/Si[subscript 1-y]Ge[subscript y] Heterovalent Interfaces por Sharma, Prithu, Milakovich, Timothy J., Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A.

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High mobility In[subscript 0.53]Ga[subscript 0.47]As quantum-well metal oxide semiconductor field effect transistor structures por Yang, Li, Cheng, Cheng-Wei, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A.

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Fabrication and Thermal Budget Considerations of Advanced Ge and InP SOLES Substrates por Pacella, Nan Y., Bulsara, Mayank, Drazek, Charlotte, Guiot, Eric, Fitzgerald, Eugene A

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Design Optimization of Single-Layer Antireflective Coating for GaAs[subscript 1−x]xP[subscript x]x/Si Tandem Cells With x=0, 0.17, 0.29, and 0.37 por Abdul Hadi, Sabina, Saylan, Sueda, Dahlem, Marcus S., Nayfeh, Ammar, Milakovich, Timothy J, Bulsara, Mayank T, Fitzgerald, Eugene A

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Theoretical efficiency limits of a 2 terminal dual junction step cell por Hadi, Sabina Abdul, Milakovich, Tim, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Hoyt, Judy L., Nayfeh, Ammar, Polyzoeva, Evelina Aleksandro

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Growth, microstructure, and luminescent properties of direct-bandgap InAlP on relaxed InGaAs on GaAs substrates por Beaton, Daniel A., Christian, T., Alberi, Kirstin, Mascarenhas, A., Bulsara, Mayank, Mukherjee, Kunal, Jones, Eric James, Fitzgerald, Eugene A.

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Lifetime of sub-THz coherent acoustic phonons in a GaAs-AlAs superlattice por Maznev, Alexei, Hofmann, Felix, Jandl, Adam Christopher, Esfarjani, Keivan, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Chen, Gang, Nelson, Keith Adam

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Intrinsic to extrinsic phonon lifetime transition in a GaAs–AlAs superlattice por Hofmann, Felix, Garg, Jivtesh, Maznev, Alexei, Jandl, Adam Christopher, Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Chen, Gang, Nelson, Keith Adam

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Phase-controlled, heterodyne laser-induced transient grating measurements of thermal transport properties in opaque material por Johnson, Jeremy A., Fitzgerald, Eugene A., Harman, T. C., Vineis, C. J., Maznev, Alexei, Bulsara, Mayank, Calawa, Stephen D., Turner, George W., Nelson, Keith Adam

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Progress and challenges in the direct monolithic integration of III-V devices and Si CMOS on silicon substrates por Fitzgerald, Eugene A., Bulsara, Mayank, Augendre, E., Benaissa, L., Daval, N., Drazek, C., Thompson, R., Clark, D., Smith, D., Choe, M. J., Bergman, J., Ha, W., Urteaga, M., Liu, W. K., Fastenau, J. M., Lubyshev, D., LaRoche, J. R., Kazior, T. E.

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A high performance differential amplifier through the direct monolithic integration of InP HBTs and Si CMOS on silicon substrates por Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., LaRoche, J. R., Kazior, T. E., Lubyshev, D., Fastenau, J. M., Liu, W. K., Urteaga, M., Ha, W., Bergman, J., Choe, M. J., Smith, D., Clark, D., Thompson, R., Drazek, C., Daval, N., Benaissa, L., Augendre, E.

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Thermal considerations for advanced SOI substrates designed for III-V/Si heterointegration por Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Yang, N., Liu, W. K., Lubyshev, D., Fastenau, J. M., Wu, Y., Urteaga, M., Ha, W., Bergman, J., Brar, B., Drazek, C., Daval, N., Benaissa, L., Augendre, E., Hoke, William E., LaRoche, J. R., Herrick, K. J., Kazior, T. E.

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High Performance Mixed Signal Circuits Enabled by the Direct Monolithic Heterogeneous Integration of InP HBT and Si CMOS on a Silicon Substrate por Kazior, T. E., LaRoche, J. R., Urteaga, M., Bergman, J., Choe, M. J., Lee, K. J., Seong, T., Seo, M., Yen, A., Lubyshev, D., Fastenau, J. M., Liu, W. K., Smith, D., Clark, D., Thompson, R., Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Drazek, C., Guiot, E.

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Compound Semiconductor Materials and Devices por Fonstad, Clifton J., Jr., Ahadian, Joseph F., Royter, Yakov, Patterson, Steven G., Wang, Hao, Viadyananthan, Praveen T., Martin, Paul S., Aggarwal, Rajni J., Shenoy, Krishna V., Petrich, Gale S., Kolodziejski, Leslie A., Mikkelson, J. M., Fitzgerald, Eugene A., Bulsara, Mayank T., Tachikawa, Masami, Prasad, Sheila, Warde, Cardinal, Luo, Jiafu, Psaltis, Demetri, Goodhue, William D., Pan, Janet L., Kannam, P., Iisuka, Norio, Hoshino, Isako

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Compound Semiconductor Materials and Devices por Fonstad, Clifton J., Jr., Ahadian, Joseph F., Royter, Yakov, Patterson, Steven G., Wang, Hao, Viadyananthan, Praveen T., Martin, Paul S., Aggarwal, Rajni J., Petrich, Gale S., Kolodziejski, Leslie A., Mikkelson, James M., Goodhue, William D., Fitzgerald, Eugene A., Bulsara, Mayank T., Hoshino, Isako, Tachikawa, Masami, Choy, Henry K., Ram, Rachna J., Livas, Jeffrey C., Hall, Katherine L., Prasad, Sheila, Shenoy, Krishna V., Warde, Cardinal, Luo, Jiafu, Psaltis, Demetri, Pan, Janet L., Crankshaw, Donald S., Kannam, P., Martin, R. J.

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