Large inverted band gap in strained three-layer InAs/GaInSb quantum wells -н C. Avogadri, S. Gebert, S. S. Krishtopenko, I. Castillo, C. Consejo, S. Ruffenach, C. Roblin, C. Bray, Y. Krupko, S. Juillaguet, S. Contreras, A. Wolf, F. Hartmann, S. Höfling, G. Boissier, J.-B. Rodriguez, S. Nanot, E. Tournié, F. Teppe, B. Jouault

Бүрэн текст авах