Đang hiển thị 1 - 20 kết quả của 25 cho tìm kiếm 'Giannattasio, A', thời gian truy vấn: 0.03s
Tinh chỉnh kết quả
-
1
Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals Bằng Giannattasio, A
Được phát hành 2004Luận văn -
2
Strain-rate dependence of the brittle-to-ductile transition temperature in tungsten Bằng Giannattasio, A, Roberts, S
Được phát hành 2007Journal article -
3
An empirical correlation between temperature and activation energy for brittle-to-ductile transitions in single-phase materials Bằng Giannattasio, A, Tanaka, M, Joseph, T, Roberts, S
Được phát hành 2007Conference item -
4
Dislocation locking by oxygen in silicon: New insights to oxygen diffusion at low temperatures Bằng Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2002Conference item -
5
Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon Bằng Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2003Conference item -
6
Brittle-ductile transitions in polycrystalline tungsten Bằng Giannattasio, A, Yao, Z, Tarleton, E, Roberts, S
Được phát hành 2010Journal article -
7
Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon Bằng Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2002Conference item -
8
The role of prismatic dislocation loops in the generation of glide dislocations in Cz-silicon Bằng Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2004Conference item -
9
Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures Bằng Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2004Conference item -
10
On the dislocation-oxygen interactions in Czochralski-grown Si: oxygen diffusion and binding at low temperatures Bằng Senkader, S, Giannattasio, A, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2002Conference item -
11
The use of numerical simulation to predict the unlocking stress of dislocations in Cz-silicon wafers Bằng Giannattasio, A, Senkader, S, Azam, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2003Journal article -
12
Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments (vol 152, pg G460, 2005) Bằng Giannattasio, A, Murphy, J, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2005Journal article -
13
Impurity locking of dislocations in silicon Bằng Giannattasio, A, Murphy, J, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2004Journal article -
14
Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments Bằng Murphy, J, Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2005Journal article -
15
Nitrogen transport in float-zone and Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments Bằng Murphy, J, Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2005Conference item -
16
Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments Bằng Giannattasio, A, Murphy, J, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2005Journal article -
17
The mechanical properties of tungsten grown by chemical vapour deposition Bằng Murphy, J, Giannattasio, A, Yao, Z, Hetherington, C, Nellist, P, Roberts, S
Được phát hành 2009Conference item -
18
The influence of nitrogen on dislocation locking in float-zone silicon Bằng Murphy, J, Giannattasio, A, Alpass, C, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2005Journal article -
19
Out-diffusion of nitrogen from float-zone silicon measured by dislocation locking Bằng Alpass, C, Murphy, J, Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2007Journal article -
20
Nitrogen in silicon: Transport and mechanical properties Bằng Murphy, J, Alpass, C, Giannattasio, A, Senkader, S, Falster, R, Wilshaw, P
Được phát hành 2006Conference item