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    AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax

    AlGaN/GaN HEMT With 300-GHz fmax Por Chung, Jinwook, Hoke, William E., Chumbes, Eduardo M., Palacios, Tomas

    Publicado em 2013
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    Artigo
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    Thermal considerations for advanced SOI substrates designed for III-V/Si heterointegration

    Thermal considerations for advanced SOI substrates designed for III-V/Si heterointegration Por Bulsara, Mayank, Fitzgerald, Eugene A., Yang, N., Liu, W. K., Lubyshev, D., Fastenau, J. M., Wu, Y., Urteaga, M., Ha, W., Bergman, J., Brar, B., Drazek, C., Daval, N., Benaissa, L., Augendre, E., Hoke, William E., LaRoche, J. R., Herrick, K. J., Kazior, T. E.

    Publicado em 2012
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