Đang hiển thị 1 - 1 kết quả của 1 cho tìm kiếm 'Rob Howell', thời gian truy vấn: 0.02s Tinh chỉnh kết quả
  1. 1
    Ultra-low resistance n+GaN contacts for GaN HEMT applications using MOCVD selective area epitaxy in N2 carrier gas

    Ultra-low resistance n+GaN contacts for GaN HEMT applications using MOCVD selective area epitaxy in N2 carrier gas Bằng Jizhong Li, Paul Brabant, Dan Hannan, Tim Vasen, Shamima Afroz, Ken Nagamatsu, Josei Chang, Patrick Shea, David Lawson, Rob Howell

    Được phát hành 2022-03-01
    lấy văn bản
    Bài viết

Công cụ tìm kiếm: