Ultra-low power high efficient rectifiers with 3T/4T double-gate MOSFETs for RFID applications অনুযায়ী Kim, Tony Tae-Hyoung, Vaddi, Ramesh.

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design and analysis of double-gate MOSFETs for ultra-low power radio frequency identification (RFID) : device and circuit co-design অনুযায়ী Kim, Tony Tae-Hyoung, Vaddi, Ramesh., Agarwal, Rajendra P., Dasgupta, Sudeb.

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design and analysis of double-gate MOSFETs for ultra-low power radio frequency identification (RFID) : device and circuit co-design অনুযায়ী Vaddi, Ramesh., Agarwal, Rajendra P., Dasgupta, Sudeb., Kim, Tony Tae-Hyoung

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design and analysis of anchorless shuttle nano-electro-mechanical non-volatile memory for high temperature applications অনুযায়ী Vaddi, Ramesh, Kim, Tony Tae-Hyoung, Pott, Vincent, Lin, Julius Tsai Ming

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design, modeling and simulation of an anchorless nano-electro- mechanical nonvolatile memory অনুযায়ী Vaddi, Ramesh, Pott, Vincent, Lin, Julius Tsai Ming, Kim, Tony Tae-Hyoung

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design and scalability of a memory array utilizing anchor-free nanoelectromechanical nonvolatile memory device অনুযায়ী Vaddi, Ramesh, Pott, Vincent, Chua, Geng Li, Lin, Julius Tsai Ming, Kim, Tony Tae-Hyoung

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

Design optimization of pulsed-mode electromechanical nonvolatile memory অনুযায়ী Pott, Vincent, Vaddi, Ramesh, Chua, Geng Li, Lin, Julius Tsai Ming, Kim, Tony Tae-Hyoung

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য

The shuttle nanoelectromechanical nonvolatile memory অনুযায়ী Pott, Vincent, Chua, Geng Li, Vaddi, Ramesh, Tsai, Julius Ming-Lin, Kim, Tony Tae-Hyoung

সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য
সম্পূর্ণ পাঠ পাওয়ার জন্য