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    High-temperature time-dependent dielectric breakdown of 4H-SiC MOS capacitors

    High-temperature time-dependent dielectric breakdown of 4H-SiC MOS capacitors por Xinlan Hou, Runding Luo, Qibin Liu, Yanqing Chi, Jie Zhang, Hongping Ma, Qingchun Zhang, Jiajie Fan

    Publicado em 2024-11-01
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