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Highly uniform, self-compliance, and forming-free ALD HfO2-based RRAM with Ge doping Por Wu, L., Wang, Zhongrui, Zhu, W. G., Du, A. Y., Fang, Z., Tran, Xuan Anh, Liu, W. J., Zhang, K. L., Yu, Hongyu
Publicado em 2013
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Journal Article