Preskoči na sadržaj
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Sva polja
Naslov
Autor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Pronađi
Napredno
Neutron transmutation doping i...
Citiraj ovo
Pošalji tekstualnu poruku
Pošalji ovo e-mailom
Ispiši
Izvezi zapis
Izvezi u RefWorks
Izvezi u EndNoteWeb
Izvezi u EndNote
Stalna poveznica
Neutron transmutation doping in semiconductors /
40
Bibliografski detalji
Glavni autori:
472374 International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
,
Meese, John M.
Format:
Izdano:
New York : Plenum,
1979
Teme:
Semiconductor doping
Neutron irradiation
Silicon
Primjerci
Opis
Slični predmeti
Prikaz za djelatnike knjižnice
Slični predmeti
Neutron transmutation doping of silicon at research reactors
od: International Atomic Energy Agency
Izdano: (2012)
Shallow impurities in semiconductors /
od: Taguchi, Tsunemasa, i dr.
Izdano: (1993)
Proceedings of the International Conference on Defects in Semiconductors/
od: International Conference on Defects in Semiconductors (16th : 1991 : Bethlehem, Pennsylavania), i dr.
Izdano: (1992)
Theory of the deep band tail in heavily doped slightly compensated semiconductors /
od: 367124 Quang, Doan Nhat, i dr.
Izdano: (1995)
Physicochemical principles of semiconductor doping/
od: 430981 Glazov, Vasilii Mikhailovich, i dr.
Izdano: (1968)