Design and characterisation of strained silicon MOSFET /

Схожі ресурси

• Design and characterisation of strained silicon MOSFET [electronic resource] /
  за авторством: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, та інші
  Опубліковано: (2007)
• Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /
  за авторством: 521413 Lau, Ngei Ong, та інші
  Опубліковано: (2010)
• Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET [electronic resource] /
  за авторством: 521413 Lau, Ngei Ong
  Опубліковано: (2010)
• Two-dimensional analytical threshold voltage model of nanoscale strained silicon MOSFET with tri-material gate /
  за авторством: Muhamad Syahir Tumaran, 1987-, та інші
  Опубліковано: (2010)
• Characterization of double gate silicon on insulator (SOI) MOSFET /
  за авторством: Zaharah Johari, 1985-, та інші
  Опубліковано: (2008)