Process and device simulation for MOSFET fabrication using virtual wafer fab-athena and atlas software /

Process and device simulation for MOSFET fabrication using virtual wafer fab-athena and atlas software /

Project Paper (Bachelor of Electrical Engineering (Computer)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2002

Бібліографічні деталі
Автор:	440222 Marina Mesran
Формат:
Мова:	eng
Опубліковано:	Skudai : Universiti Teknologi Malaysia, 2002
Предмети:	Metal oxide semiconductor field-effect transistors Semiconductor wafers

Схожі ресурси

Process and device simulation for MOSFET fabrication using virtual wafer fab-athena and atlas software [microfilm] /
за авторством: Marina Mesran
Опубліковано: (2002)

Yield enhancement system for wafer fabrication /
за авторством: 452918 Chan, Shen Yi
Опубліковано: (2002)

Wafer bonding : applications and technology /
за авторством: Alexe, M. (Marin), та інші
Опубліковано: (2004)

Production planning and control for semiconductor wafer fabrication facilities : modeling, analysis, and systems /
за авторством: Mn̲ch, Lars, та інші
Опубліковано: (c201)

Wafer fabrication : factory performance and analysis /
за авторством: 327254 Atherton, Linda F., та інші
Опубліковано: (1995)

Yield enhancement system for wafer fabrication [microfilm] /
за авторством: Chan, Shen Yi
Опубліковано: (2002)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum /
за авторством: 186505 Rozzeta Dolah, та інші
Опубліковано: (2006)

Proses pembikinan transistor dwikutub (BJT) secara simulasi menggunakan perisian Virtual Wafer Fab : athena dan atlas /
за авторством: 450179 Raziyah Mastor
Опубліковано: (2003)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum [electronic resource] /
за авторством: 186505 Rozzeta Dolah, та інші
Опубліковано: (2006)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum : An Approach to Etching Optimization /
за авторством: Rozzeta Dolah, author, та інші
Опубліковано: (2012)

DESIGN PRINCIPLES AND BLOCK SCHEMES OF THE PROBE AUTOMATIC INSPECTION SYSTEMS FOR MICROAND NANOELECTRONICS ON A WAFER
за авторством: V. A. Minchenko, та інші
Опубліковано: (2015-04-01)

Advanced fabrication techniques for designing nanoscale mosfet /
за авторством: 266516 Wong, Suei Huey, та інші
Опубліковано: (2007)

Pemfabrikasian silikon metal oxide semiconductor field effect transistor (Silikon-Mosfet)/
за авторством: 225718 Surenthiran Muniandy
Опубліковано: (1992)

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /
за авторством: 521413 Lau, Ngei Ong, та інші
Опубліковано: (2010)

The development of vertical mosfet model incorporating a dielectric pocket /
за авторством: 227744 Nurul Ezaila Alias, та інші
Опубліковано: (2009)

The development of vertical mosfet model incorporating a dielectric pocket /
за авторством: 227744 Nurul Ezaila Alias, та інші
Опубліковано: (2009)

Power mosfet design /
за авторством: 285393 Taylor, B. E.
Опубліковано: (1993)

Advanced fabrication techniques for designing nanoscale mosfet [electronic resource] /
за авторством: 266516 Wong, Suei Huey, та інші
Опубліковано: (2007)

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET [electronic resource] /
за авторством: 521413 Lau, Ngei Ong
Опубліковано: (2010)

Semi - empirical device model for nanoscale MOSFET /
за авторством: 418115 Lai, Zyn Ming, та інші
Опубліковано: (2007)

Mosfet modeling for circuit analysis and design /
за авторством: 372891 Galup-Montoro, Carlos, та інші
Опубліковано: (2007)

Semi - empirical capacitance modeling for mosfet /
за авторством: 275510 Chai, Chun Vui, та інші
Опубліковано: (2008)

Mosfet circuit debounces power relay /
за авторством: 390063 Venditti, Carlo

Device and circuit-level performance of graphene nanoribbon field-effect transistor with benchmarking against a nano-mosfet /
за авторством: Wong, Weng Soon, 1988-, author, та інші
Опубліковано: (2013)

Mosfet circuits guidebook-with 100 tested projects/
за авторством: 275027 Turner, Rufus P.
Опубліковано: (1976)

Simulation of 0.18 micron MOSFET and its characterization /
за авторством: 398154 Syafeeza Ahmad Radzi
Опубліковано: (2005)

Device and circuit-level performance of graphene nanoribbon field-effect transistor with benchmarking against a nano-mosfet [electronic resource] /
за авторством: Wong, Weng Soon, 1988-, author
Опубліковано: (2013)

The influence of corner effects in double gate vertical mosfet /
за авторством: Khalidah Abdullah, 1986-, та інші
Опубліковано: (2010)

Characterization of tri-material gate n-channel MOSFET /
за авторством: Nadia Othman, та інші
Опубліковано: (2010)

Semi - empirical device model for nanoscale MOSFET [electronic resource] /
за авторством: 418115 Lai, Zyn Ming, та інші
Опубліковано: (2007)

Physical and chemical characterization of oxide/germanium interfaces in ge mosfet /
за авторством: Nur Shazwani Yunus, 1992-, та інші
Опубліковано: (2015)

Modeling of lightly of doped drain (LDD) mosfet for circuit simulation /
за авторством: Vijay K. Arora, та інші
Опубліковано: (2008)

The physics and modeling of MOSFETs : surface-potential model HiSIM /
за авторством: 240092 Miura-Mattausch, Mitiko, та інші
Опубліковано: (2008)

Simulation of 0.18 micron mosfet and its characterization [compact disc]
за авторством: 398154 Syafeeza Ahmad Radzi
Опубліковано: (2005)

The influence of corner effects in double gate vertical mosfet [electronic resource]/
за авторством: Khalidah Abdullah, 1986-, та інші
Опубліковано: (2010)

Characterization of tri-material gate n-channel MOSFET [electronic resource] /
за авторством: 552022 Nadia Othman
Опубліковано: (2010)

Design and characterisation of strained silicon MOSFET /
за авторством: 275773 Goh, Eunice Shing Mei, та інші
Опубліковано: (2007)

Physical and chemical characterization of oxide/germanium interfaces in ge mosfet [electronic resource] /
за авторством: Nur Shazwani Yunus, 1992-, та інші
Опубліковано: (2015)

Relliability behaviors of HCI and NBTI on 3-D planar mosfet and novel finfet/
за авторством: Rahimah Hassan, 1992-, та інші
Опубліковано: (2016)

Development of partially and fully depleted silicon-on-insulator MOSFET using tcad tools /
за авторством: Teoh, Shu Wen, 1986-, та інші
Опубліковано: (2010)