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Silicon pillar thickness effect on vertical double gate MOSFET (VDGM) with oblique rotating implantation (ORI) method /

Silicon pillar thickness effect on vertical double gate MOSFET (VDGM) with oblique rotating implantation (ORI) method /

PRZSL

Detalhes bibliográficos
Principais autores: Munawar Agus Riyadi, 1977-, author, Ismail Saad, author, Razali Ismail, author, IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (2008 : Johor)
Formato:
Idioma:
Publicado em: Skudai : Universiti Teknologi Malaysia, 2008
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Registros relacionados

  • Self-aligned double-gate (DG) vertical MOSFET's using oblique rotating implantation (ORI) method with reduced parasitic capacitance /
    por: Ismail Saad, author, et al.
    Publicado em: (2008)
  • Self-aligned vertical double-gate MOSFET (VDGM) with the oblique rotating ion implantation (ORI) method
    por: Saad, Ismail, et al.
    Publicado em: (2008)
  • Analysis of pillar thickness variation on source top (sot) nanoscale vertical mosfet with oblique rotation implatation (ORI) method /
    por: Ismail Saad, author, et al.
    Publicado em: (2008)
  • Enhanced performance of nanoscale vertical MOSFET by oblique rotating implantation (ORI) and fillet local oxidation(FILOX+ORI)technology /
    por: Ismail Saad, 1974-, author, et al.
    Publicado em: (2009)
  • Design and simulation of 50 nm vertical double-gate MOSFET (VDGM)
    por: Saad, Ismail, et al.
    Publicado em: (2006)

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