Pencirian arus-voltan bagi transistor kesan medan logam-oksida silikon (mosfet) /
Project Paper (Sarjana Muda Sains Industri (Fiozik Bahan)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2001
Main Authors: | 401364 Rizuan Mohd Mahrol, Hazri Bakhtiar, Fakulti Sains |
---|---|
Format: | |
Language: | may |
Published: |
2001
|
Similar Items
-
Kesan perubahan voltan, VDs terhadap pencirian elektrik arus penyalur sumber, IDs kepada voltan get-sumber, VGs bagi transistot kesan medan logam-oksida-silikon, mosfet jenis-n /
by: 444226 Wong, Woan Woan, et al.
Published: (2003) -
Mengkaji kesan stress yang merupakan faktor masa penggunaan terhadap pencirian arus voltan n-mosfet /
by: 438252 Goopi Maniam, et al.
Published: (2002) -
Kesan stress terhadap pencirian arus voltan, konfigurasi pemancar sepunya transistor dwi kutub (BJT) /
by: 430377 Shahnaz Abu Bakar, et al.
Published: (2002) -
Mengkaji kesan stress yang merupakan faktor masa pengoperasian terhadap pencirian arus-voltan bagi p-mosfet /
by: Michele Anak Linda, 1986-, et al.
Published: (2008) -
Kesan kepada sifat-sifat elektrik akibat radiasi sinar-gamma dan neutron pada transistor kesan medan logam oksida-silikon (MOSFET)
by: Jusoh, Kamal Ariffin
Published: (2005)