Mengkaji ciri keluaran transistor DWI-kutub (BJT) dalam konfigurasi pemancar sepunya (Common emitter configuration) dengan arus tapak yang tertentu /

類似資料

• Kesan stress terhadap pencirian arus voltan, konfigurasi pemancar sepunya transistor dwi kutub (BJT) /
  著者:: 430377 Shahnaz Abu Bakar, 等
  出版事項: (2002)
• Emitter and collector doping effects of NPN bipolar junction transistor (BJT) to the electrical characterizations /
  著者:: Mohd. Safwan Alwee, 1990-, 等
  出版事項: (2012)
• Kesan suhu terhadap pencirian elektrik BJT dengan menggunakan simulasi PSPICE /
  著者:: Nur Fatihah Mohd Yusoff, 等
  出版事項: (2007)
• Base length effects of submicron bipolar juntion Transistor (BJT) to the electrical characteristics by simulation /
  著者:: Halimatunnisa Abdul Talib, 1989-, 等
  出版事項: (2011)
• Base concentration effects of PNP bipolar junction transistor (BJT) to the electrical characterization by simulation /
  著者:: Mohd. Helmi Mohd. Nasir, 1990-, 等
  出版事項: (2012)