Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Mengkaji pengaruh tempoh opera...
Sitaatti
Tekstiviesti
Lähetä sähköpostilla
Tulosta
Vie tietue
Vienti: RefWorks
Vienti: EndNoteWeb
Vienti: EndNote
Pysyvä linkki
Mengkaji pengaruh tempoh operasi litar terhadap pencirian elektrik mosfet jenis N /
Project Paper (Sarjana Muda Sains (Fizik Industri)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2008
Bibliografiset tiedot
Päätekijät:
Mohd.`Azizir-Rahim Mukri
,
Hazri Bakhtiar
,
Fakulti Sains
Aineistotyyppi:
Kieli:
may
Julkaistu:
2008
Saatavuustiedot
Kuvaus
Samankaltaisia teoksia
Henkilökuntanäyttö
Samankaltaisia teoksia
Mengkaji kesan radiasi gamma terhadap pencirian elektrik a-mosfet /
Tekijä: 506324 Norha Abdul Hadi, et al.
Julkaistu: (2008)
Mengkaji ciri elektrik mosfet terhadap perubahan suhu operasi menggunakan simulasi pspice /
Tekijä: 386695 Rahmatia Badaini, et al.
Julkaistu: (2007)
Mengkaji kesan radiasi gamma terhadap pencirian elektrik transistor dwikutub /
Tekijä: 298717 Muhammad Norhadi Rusdi, et al.
Julkaistu: (2006)
Mengkaji kesan dopan di bawah sumber dan parit terhadap pencirian elektrik N-mosfet dengan menggunakan simulasi mofset /
Tekijä: 444868 Mohd. Syafiq Affandi, et al.
Julkaistu: (2010)
Mengkaji pencirian N-mosfet dengan perubahan konsentrasi pendopan substrat menggunakan pspice /
Tekijä: 344441 Nurul Humaimah Mansor, et al.
Julkaistu: (2007)