Kajian ciri I-V terhadap pelbagai luas sentuhan logam semikonduktor /
Project Paper (Sarjana Muda Sains (Fizik Kesihatan)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2009
Main Authors: | 426572 Muhammad Nuh Zakaria, Zulkifli Othman,lcsupervisor, Fakulti Sains |
---|---|
Format: | |
Language: | may |
Published: |
2009
|
Similar Items
-
Melihat perubahan ciri I-V sentuhan semikonduktor (silikon) dengan pelbagai logam /
by: 374251 Hairul Nizam Idris
Published: (2000) -
Kajian sentuhan logam indium-semikonduktor silikon /
by: 409763 Rosnita Hj. Muhammad
Published: (1995) -
Diod schottky : kajian I-V, C-V dan kesan hall terhadap sentuhan pelbagai logam dengan silikon jenis-P /
by: 437193 Kong, Leng Yow, et al.
Published: (2003) -
Pengukuran kapasitans-voltan bagi sentuhan logam-semikonduktor galium arsenida jenis-p /
by: 349592 Husni Hani Jameela Sapingi, et al.
Published: (2007) -
Diod Schottky : mengkaji ciri I-V, C-V dan kesan hall terhadap sentuhan logam dengan silikon jenis-P pada diameter berbeza /
by: 448662 Norhazlinda Md Buzi, et al.