Characterization of planar and vertical n-channel Mosfet in nanometer regime [electronic resource] /
Thesis (Sarjana Kejuruteraan (Elektrikal - Elektronik dan Telekomunikasi )) - Universiti Teknologi Malaysia, 2007
Yazar: | 226165 Ima Sulaiman |
---|---|
Materyal Türü: | |
Dil: | eng |
Baskı/Yayın Bilgisi: |
Skudai : Universiti Teknologi Malaysia,
2007
|
Konular: |
Benzer Materyaller
-
Characterization of planar and vertical n-channel Mosfet in nanometer regime /
Yazar:: 226165 Ima Sulaiman
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007) -
Characterization of planar and vertical n-channel mosfet in nanometer regime
Yazar:: Sulaiman, Ima
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007) -
Sealing of vertical and lateral MOSFET in nanometer regime /
Yazar:: Ismail Saad, author, ve diğerleri
Baskı/Yayın Bilgisi: (2007) -
Modeling the effect of velocity saturation in nanoscale mosfet /
Yazar:: 560362 Tan, Michael Loong Peng
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006) -
Modeling the effect of velocity saturation in nanoscale mosfet [compact disc] /
Yazar:: 560362 Tan, Michael Loong Peng
Baskı/Yayın Bilgisi: (2006)