Growth and characteristics of islands and quantum dots of germanium and indium gallium arsenide /lcAmira Saryati Ameruddin
Thesis (Sarjana Sains (Fizik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010
Автори: | 541108 Amira Saryati Ameruddin,ld1985-, Zulkafli Othaman,lcsupervisor, Fakulti Sains |
---|---|
Формат: | |
Мова: | eng |
Опубліковано: |
lc2010
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Growth and characteristics of islands and quantum dots of germanium and indium gallium arsenide /
за авторством: Amira Saryati Ameruddin, 1985-, та інші
Опубліковано: (2010) -
Growth and characteristics of islands and quantum dots of germanium and indium gallium arsenide [electronic resource] /
за авторством: Amira Saryati Ameruddin, 1985-
Опубліковано: (2010) -
Gold seed-particles assisted growth of indium gallium arsenide nanowires /
за авторством: Edy Wibowo, 1986-, та інші
Опубліковано: (2011) -
The effect of growth time to the growth of indium gallium arsenide (InGaAs) quantum wires using MOCVD /
за авторством: 504574 Nor Hamizah Nor Helmi,ld1989-, та інші
Опубліковано: (2010) -
Temperature effect on the density and sizes of indium-arsenide (InAs) quantum dots /
за авторством: Lim, Cheng Foo, 1985-, та інші
Опубліковано: (2008)