Experimental study of the effect of the quantum well structures on the thermoelectric figure of merit in Si/Si1-xGex system/

Схожі ресурси

• Quantum confinement effects on the thermoelectric figure of merit in si/si1-zGez system/
  за авторством: 285965 Sun, X., та інші
• Improving the thermoelectric figure of merit
  за авторством: H. Julian Goldsmid
  Опубліковано: (2021-12-01)
• Minority carrier effects on the thermoelectric figure of merit/
  за авторством: 357381 Bhandari, C. M., та інші
• Introduction of the structure, modeling and analysis of junctionless heterostructure Si/Si1-xGex transistor
  за авторством: reyhaneh ejlali, та інші
  Опубліковано: (2023-03-01)
• Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing
  за авторством: Setiawan, Y., та інші
  Опубліковано: (2012)