Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /

Design and characterisation of biaxial strained silicon N-channel MOSFET /

Project Paper (Sarjana Muda Kejuruteraan (Elektrik - Mikroelektronik)) - Universiti Teknologi Malaysia, 2010

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: 521413 Lau, Ngei Ong, Razali Ismail, supervisor, Fakulti Kejuruteraan Elektrik
Format:
Sprache:eng
Veröffentlicht: 2010
Schlagworte:
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Metal-oxide semiconductor field-effect transistors

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