Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/
Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS)....
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | |
| Publicado em: |
1991
|
| Assuntos: |
| Resumo: | Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS). Sebelum pengukuran dibuat, beberapa langkah penyediaan sampel harus diikuti bergantung kepada bahan semikonduktor yang digunakan. Pengukuran kekonduksian dilakukan pada sampel berbentuk bar dan kepingan-bulat. Graf o lawan T bagi Ge jenis n adalah mengikuti bentuk graf yang ditunjukkan untuk kebanyakan bahan semikonduktor manakala untuk sampel ZnCdS jenis n pula, graf o lawan T tidak mengikut bentuk graf yang sepatutnya. Dari graf log o lawan T, tenaga paras penderma (Ed) untuk dua sample Ge yang dikira adalah 0.0257evdan 0.0102ev manakala tenaga jurang (Eg) ialah 0.6112ev dan 0.7153ev. Tenaga paras penderma dan tenaga jurang untuk ZnCdS pula tidak dapat ditentukan. |
|---|