Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/
Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS)....
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| स्वरूप: | |
| प्रकाशित: |
1991
|
| विषय: |
| _version_ | 1826368479719063552 |
|---|---|
| author | 466201 Mohd. Ramli Idris |
| author_facet | 466201 Mohd. Ramli Idris |
| author_sort | 466201 Mohd. Ramli Idris |
| collection | OCEAN |
| description | Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS). Sebelum pengukuran dibuat, beberapa langkah penyediaan sampel harus diikuti bergantung kepada bahan semikonduktor yang digunakan. Pengukuran kekonduksian dilakukan pada sampel berbentuk bar dan kepingan-bulat. Graf o lawan T bagi Ge jenis n adalah mengikuti bentuk graf yang ditunjukkan untuk kebanyakan bahan semikonduktor manakala untuk sampel ZnCdS jenis n pula, graf o lawan T tidak mengikut bentuk graf yang sepatutnya. Dari graf log o lawan T, tenaga paras penderma (Ed) untuk dua sample Ge yang dikira adalah 0.0257evdan 0.0102ev manakala tenaga jurang (Eg) ialah 0.6112ev dan 0.7153ev. Tenaga paras penderma dan tenaga jurang untuk ZnCdS pula tidak dapat ditentukan. |
| first_indexed | 2024-03-04T15:49:59Z |
| format | |
| id | KOHA-OAI-TEST:67107 |
| institution | Universiti Teknologi Malaysia - OCEAN |
| last_indexed | 2024-03-04T15:49:59Z |
| publishDate | 1991 |
| record_format | dspace |
| spelling | KOHA-OAI-TEST:671072020-12-19T16:59:35ZPengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ 466201 Mohd. Ramli Idris 1991Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS). Sebelum pengukuran dibuat, beberapa langkah penyediaan sampel harus diikuti bergantung kepada bahan semikonduktor yang digunakan. Pengukuran kekonduksian dilakukan pada sampel berbentuk bar dan kepingan-bulat. Graf o lawan T bagi Ge jenis n adalah mengikuti bentuk graf yang ditunjukkan untuk kebanyakan bahan semikonduktor manakala untuk sampel ZnCdS jenis n pula, graf o lawan T tidak mengikut bentuk graf yang sepatutnya. Dari graf log o lawan T, tenaga paras penderma (Ed) untuk dua sample Ge yang dikira adalah 0.0257evdan 0.0102ev manakala tenaga jurang (Eg) ialah 0.6112ev dan 0.7153ev. Tenaga paras penderma dan tenaga jurang untuk ZnCdS pula tidak dapat ditentukan.Kertas Projek (Sarjana Muda Sains serta Pendidikan (Fizik dan Komputer)) - Universiti Teknologi Malaysia, 1991Kerja-kerja yang dibuat dan dilapurkan dalam tesis ini bertujuan untuk mengukur kekonduksian(o) pada suhu bilik (300oK) dan kebergantungan kekonduksian terhadap suhu (77K-450K) bagi beberapa bahan semikonduktor. Sample yang digunakan ialah Silikon(Si), Germanium(Ge) dan Zink Cadmium Sulfida(ZnCdS). Sebelum pengukuran dibuat, beberapa langkah penyediaan sampel harus diikuti bergantung kepada bahan semikonduktor yang digunakan. Pengukuran kekonduksian dilakukan pada sampel berbentuk bar dan kepingan-bulat. Graf o lawan T bagi Ge jenis n adalah mengikuti bentuk graf yang ditunjukkan untuk kebanyakan bahan semikonduktor manakala untuk sampel ZnCdS jenis n pula, graf o lawan T tidak mengikut bentuk graf yang sepatutnya. Dari graf log o lawan T, tenaga paras penderma (Ed) untuk dua sample Ge yang dikira adalah 0.0257evdan 0.0102ev manakala tenaga jurang (Eg) ialah 0.6112ev dan 0.7153ev. Tenaga paras penderma dan tenaga jurang untuk ZnCdS pula tidak dapat ditentukan.40PRZSLElectric conductivitySemiconductors |
| spellingShingle | Electric conductivity Semiconductors 466201 Mohd. Ramli Idris Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title | Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title_full | Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title_fullStr | Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title_full_unstemmed | Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title_short | Pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77K hingga 450K/ |
| title_sort | pengukuran kekonduksian semikonduktor dalam julat suhu antara 77k hingga 450k |
| topic | Electric conductivity Semiconductors |
| work_keys_str_mv | AT 466201mohdramliidris pengukurankekonduksiansemikonduktordalamjulatsuhuantara77khingga450k |