بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه
در این تحقیق، از پودر کاربید سیلیسیم (SiC) با اندازه ذرات 30 تا 45 میکرومتر و مورفولوژی نامنظم، جهت پوشش‌دهی در حمام الکترولس نیکل استفاده شد. تاثیر پارامترهای خشن‌سازی سطح ذرات در محلول اسیدی و زمان فرآیند الکترولس بر یکنواختی و ضخامت پوشش Ni-P روی ذرات SiC مورد بررسی قرار گرفت. پودر کامپوزیتی SiC(...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Ferdowsi University of Mashhad
2024-01-01
|
| Series: | نشریه مهندسی متالورژی و مواد |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jmme.um.ac.ir/article_44443_1b9b9345731bd5e4a97fd4cd31dbc015.pdf |
| _version_ | 1827316753136353280 |
|---|---|
| author | پژمان زمانی مقدم ضیاء والفی مسعود میرجانی |
| author_facet | پژمان زمانی مقدم ضیاء والفی مسعود میرجانی |
| author_sort | پژمان زمانی مقدم |
| collection | DOAJ |
| description | در این تحقیق، از پودر کاربید سیلیسیم (SiC) با اندازه ذرات 30 تا 45 میکرومتر و مورفولوژی نامنظم، جهت پوشش‌دهی در حمام الکترولس نیکل استفاده شد. تاثیر پارامترهای خشن‌سازی سطح ذرات در محلول اسیدی و زمان فرآیند الکترولس بر یکنواختی و ضخامت پوشش Ni-P روی ذرات SiC مورد بررسی قرار گرفت. پودر کامپوزیتی SiC(Ni)-70vol.%Co توسط فرآیندهای پاشش سوخت‌اکسیژن سرعت بالا (HVOF) و پاشش پلاسمای اتمسفری (APS) روی زیرلایه‌هایی از جنس فولاد ساده کربنی پوشش‌دهی شد. پودر کامپوزیتی از مخلوط مکانیکی پودر کبالت با پودر کاربید سیلیسیم روکش‌شده SiC(Ni) به دست آمد. ریزساختار سطح مقطع و مورفولوژی ذرات پودر و پوشش‌های متناظر توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شد. نتایج نشان دادند که آماده‌سازی سطحی پودر SiC توسط خشن‌سازی ذرات با محلول HF/NaF و زمان الکترولس 5 دقیقه منجر به تشکیل روکش پیوسته و یکنواخت Ni-P با ضخامت 1 الی 3 میکرومتر روی ذرات SiC شد. روکش الکترولس نیکل طی پاشش حرارتی توسط HVOF به خوبی از ذرات SiC در برابر تجزیه و اکسیداسیون محافظت کرد و به عنوان یک حامل منجر به قرارگیری و توزیع SiC در پوشش کامپوزیتی SiC(Ni)-Co گردید. در فرآیند APS به دلیل دمای بسیار بالای جت پلاسما و تجزیه حرارتی، ذرات SiC در ریزساختار پوشش مشارکت بسیار کمی داشتند. میکرو سختی دو پوشش نامبرده به ترتیب 40 ± 570 و HV0.3 460± 30 اندازه‌گیری شد که این تفاوت ناشی از تاثیر توزیع چشمگیر SiC در پوشش HVOF بود. |
| first_indexed | 2024-04-24T23:20:07Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-0609513e64374e96aaf85df031266a6c |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2008-7462 2423-5881 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-04-24T23:20:07Z |
| publishDate | 2024-01-01 |
| publisher | Ferdowsi University of Mashhad |
| record_format | Article |
| series | نشریه مهندسی متالورژی و مواد |
| spelling | doaj.art-0609513e64374e96aaf85df031266a6c2024-03-16T09:12:09ZfasFerdowsi University of Mashhadنشریه مهندسی متالورژی و مواد2008-74622423-58812024-01-01344173010.22067/jmme.2023.81846.110744443بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیهپژمان زمانی مقدم0ضیاء والفی1مسعود میرجانی2گروه سطح و پوشش، دانشکده مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایرانگروه سطح و پوشش، دانشکده مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایرانگروه سطح و پوشش، دانشکده مواد و فناوری های ساخت، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایراندر این تحقیق، از پودر کاربید سیلیسیم (SiC) با اندازه ذرات 30 تا 45 میکرومتر و مورفولوژی نامنظم، جهت پوشش‌دهی در حمام الکترولس نیکل استفاده شد. تاثیر پارامترهای خشن‌سازی سطح ذرات در محلول اسیدی و زمان فرآیند الکترولس بر یکنواختی و ضخامت پوشش Ni-P روی ذرات SiC مورد بررسی قرار گرفت. پودر کامپوزیتی SiC(Ni)-70vol.%Co توسط فرآیندهای پاشش سوخت‌اکسیژن سرعت بالا (HVOF) و پاشش پلاسمای اتمسفری (APS) روی زیرلایه‌هایی از جنس فولاد ساده کربنی پوشش‌دهی شد. پودر کامپوزیتی از مخلوط مکانیکی پودر کبالت با پودر کاربید سیلیسیم روکش‌شده SiC(Ni) به دست آمد. ریزساختار سطح مقطع و مورفولوژی ذرات پودر و پوشش‌های متناظر توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شد. نتایج نشان دادند که آماده‌سازی سطحی پودر SiC توسط خشن‌سازی ذرات با محلول HF/NaF و زمان الکترولس 5 دقیقه منجر به تشکیل روکش پیوسته و یکنواخت Ni-P با ضخامت 1 الی 3 میکرومتر روی ذرات SiC شد. روکش الکترولس نیکل طی پاشش حرارتی توسط HVOF به خوبی از ذرات SiC در برابر تجزیه و اکسیداسیون محافظت کرد و به عنوان یک حامل منجر به قرارگیری و توزیع SiC در پوشش کامپوزیتی SiC(Ni)-Co گردید. در فرآیند APS به دلیل دمای بسیار بالای جت پلاسما و تجزیه حرارتی، ذرات SiC در ریزساختار پوشش مشارکت بسیار کمی داشتند. میکرو سختی دو پوشش نامبرده به ترتیب 40 ± 570 و HV0.3 460± 30 اندازه‌گیری شد که این تفاوت ناشی از تاثیر توزیع چشمگیر SiC در پوشش HVOF بود.https://jmme.um.ac.ir/article_44443_1b9b9345731bd5e4a97fd4cd31dbc015.pdfکاربید سیلسیمni-pپاشش حرارتیhvofaps |
| spellingShingle | پژمان زمانی مقدم ضیاء والفی مسعود میرجانی بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه نشریه مهندسی متالورژی و مواد کاربید سیلسیم ni-p پاشش حرارتی hvof aps |
| title | بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه |
| title_full | بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه |
| title_fullStr | بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه |
| title_full_unstemmed | بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه |
| title_short | بررسی قابلیت پوشش‌دهی SiC توسط فرآیندهای APS و HVOF از طریق روکش کاری نیکل-فسفر بر پودر اولیه |
| title_sort | بررسی قابلیت پوشش‌دهی sic توسط فرآیندهای aps و hvof از طریق روکش کاری نیکل فسفر بر پودر اولیه |
| topic | کاربید سیلسیم ni-p پاشش حرارتی hvof aps |
| url | https://jmme.um.ac.ir/article_44443_1b9b9345731bd5e4a97fd4cd31dbc015.pdf |
| work_keys_str_mv | AT pzẖmạnzmạnymqdm brrsyqạblytpwsẖsẖdhysictwsṭfrậyndhạyapswhvofạzṭryqrwḵsẖḵạrynyḵlfsfrbrpwdrạwlyh AT ḍyạʾwạlfy brrsyqạblytpwsẖsẖdhysictwsṭfrậyndhạyapswhvofạzṭryqrwḵsẖḵạrynyḵlfsfrbrpwdrạwlyh AT msʿwdmyrjạny brrsyqạblytpwsẖsẖdhysictwsṭfrậyndhạyapswhvofạzṭryqrwḵsẖḵạrynyḵlfsfrbrpwdrạwlyh |