MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS
<p class="BasicParagraph"><strong>Abstrak</strong></p> <p class="AbstakIndo">__________________________________________________________________________________________</p> <p>Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada O...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Universitas Negeri Semarang
2014-06-01
|
| Series: | Jurnal MIPA |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JM/article/view/2984 |
| _version_ | 1818346461900832768 |
|---|---|
| author | Sujarwata - P Marwoto |
| author_facet | Sujarwata - P Marwoto |
| author_sort | Sujarwata - |
| collection | DOAJ |
| description | <p class="BasicParagraph"><strong>Abstrak</strong></p> <p class="AbstakIndo">__________________________________________________________________________________________</p> <p>Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada OFET (<em>Organic Field Effect Transistor</em>) berbasis film tipis dengan struktur <em>bottom-contact</em>. Pembuatan OFET dilakukan dengan cara pencucian substrat dengan <em>etanol</em> dalam <em>ultrasonic cleaner,</em> kemudian dilakukan deposisi elektroda <em>source</em> dan <em>drain</em> di atas substrat SiO<sub>2</sub> dengan metode penguapan hampa udara pada suhu ruang dan teknik <em>lithography</em>. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara <em>source</em> (S)<em> </em>dan <em>drain</em> (D) sebagai panjang saluran (<em>channel)</em> dan diakhiri dengan deposisi elektrode <em>gate </em>(G). Karakterisai OFET berbasis film tipis dilakukan dengan El-Kahfi 100, untuk menentukan karakteristik keluaran V-I. Hasil karakterisasi OFET dengan panjang <em>channel</em> (L) 100 <em>μ</em>m dan lebar (<em>W</em>) 1 mm, mempunyai daerah aktif, yaitu: 2,80 V sampai dengan 3,42. Mobilitas pembawa muatan OFET untuk daerah saturasi, <em>µ</em> = 0,00182278 cm<sup>2</sup> /Vs dan untuk daerah linier, <em>µ</em> = 0,000343818 cm<sup>2</sup> /Vs</p> <p class="IsiAbstrakIndo"> </p> <p class="AbstakIndo"><strong><em>Abstract</em></strong><em></em></p> <p class="BasicParagraph">__________________________________________________________________________________________</p> <p class="BasicParagraph"><em>The purpose of this research is to produce and characterize the OFET </em><em>(Organic Field Effect Transistor)</em><em> based on thin film with bottom-contact structure. The OFET production consists of the substract wash by using ethanol in the ultrasonic cleaner, then electrode deposition of source and drain on the SiO<sub>2 </sub> substract by using vacuum evaporation in the room temperature and lithography technique. Then, the deposition of thin film of CuPc between source (S) and drain (D) was done as the channel length and ended with electrode gate (G) deposition. The OFET characterization with channel length (L) 100 μm and wide (W) 1 mm obtained the active area of 2,80 - 3,42 v. While the mobility of OFET charge carrier obtained µ = 0,00182278 cm<sup>2</sup> /Vs for the saturation area and µ = 0,000343818 cm<sup>2</sup> /Vs for linier area.</em></p> |
| first_indexed | 2024-12-13T17:18:39Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-06fd39ec3678488a8b4f3f10d7ab9389 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 0215-9945 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-12-13T17:18:39Z |
| publishDate | 2014-06-01 |
| publisher | Universitas Negeri Semarang |
| record_format | Article |
| series | Jurnal MIPA |
| spelling | doaj.art-06fd39ec3678488a8b4f3f10d7ab93892022-12-21T23:37:22ZengUniversitas Negeri SemarangJurnal MIPA0215-99452014-06-013622744MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPISSujarwata -0P Marwoto1Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Semarang, IndonesiaJurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Semarang, Indonesia<p class="BasicParagraph"><strong>Abstrak</strong></p> <p class="AbstakIndo">__________________________________________________________________________________________</p> <p>Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada OFET (<em>Organic Field Effect Transistor</em>) berbasis film tipis dengan struktur <em>bottom-contact</em>. Pembuatan OFET dilakukan dengan cara pencucian substrat dengan <em>etanol</em> dalam <em>ultrasonic cleaner,</em> kemudian dilakukan deposisi elektroda <em>source</em> dan <em>drain</em> di atas substrat SiO<sub>2</sub> dengan metode penguapan hampa udara pada suhu ruang dan teknik <em>lithography</em>. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara <em>source</em> (S)<em> </em>dan <em>drain</em> (D) sebagai panjang saluran (<em>channel)</em> dan diakhiri dengan deposisi elektrode <em>gate </em>(G). Karakterisai OFET berbasis film tipis dilakukan dengan El-Kahfi 100, untuk menentukan karakteristik keluaran V-I. Hasil karakterisasi OFET dengan panjang <em>channel</em> (L) 100 <em>μ</em>m dan lebar (<em>W</em>) 1 mm, mempunyai daerah aktif, yaitu: 2,80 V sampai dengan 3,42. Mobilitas pembawa muatan OFET untuk daerah saturasi, <em>µ</em> = 0,00182278 cm<sup>2</sup> /Vs dan untuk daerah linier, <em>µ</em> = 0,000343818 cm<sup>2</sup> /Vs</p> <p class="IsiAbstrakIndo"> </p> <p class="AbstakIndo"><strong><em>Abstract</em></strong><em></em></p> <p class="BasicParagraph">__________________________________________________________________________________________</p> <p class="BasicParagraph"><em>The purpose of this research is to produce and characterize the OFET </em><em>(Organic Field Effect Transistor)</em><em> based on thin film with bottom-contact structure. The OFET production consists of the substract wash by using ethanol in the ultrasonic cleaner, then electrode deposition of source and drain on the SiO<sub>2 </sub> substract by using vacuum evaporation in the room temperature and lithography technique. Then, the deposition of thin film of CuPc between source (S) and drain (D) was done as the channel length and ended with electrode gate (G) deposition. The OFET characterization with channel length (L) 100 μm and wide (W) 1 mm obtained the active area of 2,80 - 3,42 v. While the mobility of OFET charge carrier obtained µ = 0,00182278 cm<sup>2</sup> /Vs for the saturation area and µ = 0,000343818 cm<sup>2</sup> /Vs for linier area.</em></p>https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JM/article/view/2984guava leaf extractspermatozoacadmium |
| spellingShingle | Sujarwata - P Marwoto MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS Jurnal MIPA guava leaf extract spermatozoa cadmium |
| title | MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS |
| title_full | MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS |
| title_fullStr | MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS |
| title_full_unstemmed | MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS |
| title_short | MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS |
| title_sort | mobilitas pembawa muatan pada ofet organic field effect transistor berbasis film tipis |
| topic | guava leaf extract spermatozoa cadmium |
| url | https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JM/article/view/2984 |
| work_keys_str_mv | AT sujarwata mobilitaspembawamuatanpadaofetorganicfieldeffecttransistorberbasisfilmtipis AT pmarwoto mobilitaspembawamuatanpadaofetorganicfieldeffecttransistorberbasisfilmtipis |