Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier
Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesad os/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III - V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, s...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Universidad De La Salle Bajío
2013-01-01
|
| Series: | Nova Scientia |
| Online Access: | http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=203348274001 |
| _version_ | 1811277790620680192 |
|---|---|
| author | L. Diago-Cisneros S. Arias-Laso |
| author_facet | L. Diago-Cisneros S. Arias-Laso |
| author_sort | L. Diago-Cisneros |
| collection | DOAJ |
| description | Se desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesad os/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III - V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, se incluyó la interacción con un campo eléctrico externo paralelo a la dirección de propagación – perpendicular a las intercaras – y se estudiaron las las magnitudes relevantes del transporte cuántico de huecos – transmisión, conductancia y tiempo de fase. Este form a lismo nos permitió considerar simultán eamente todos los canales propagantes. Para el sistema de la barrera simple, se estudió la dependencia de la conductancia con el campo aplicado a través de los diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in - plane momentum κ T afecta los resultados, lo cuál nos brinda una idea de cómo el acoplamiento entre bandas influencia la transmisión con un voltaje aplicado. Adicionalmente, fijando diferentes valores de la mezcla interbanda, se hizo un breve estudio del tiempo de transmi sión de la fase como función del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitósamente comparados con algunos comportamientos obtenidos previamente en el tunelaje de huecos a través de heteroestructuras semiconductoras usando dif erentes aproximaciones. |
| first_indexed | 2024-04-13T00:23:03Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-08cd81d81a564ec88607086a8328209f |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2007-0705 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-04-13T00:23:03Z |
| publishDate | 2013-01-01 |
| publisher | Universidad De La Salle Bajío |
| record_format | Article |
| series | Nova Scientia |
| spelling | doaj.art-08cd81d81a564ec88607086a8328209f2022-12-22T03:10:41ZengUniversidad De La Salle BajíoNova Scientia2007-07052013-01-01510116Simultaneous hole scattering in a biased simple barrierL. Diago-CisnerosS. Arias-LasoSe desarrolla un estudio teórico de la propagación de flujos de huecos (pesad os/ligeros) a través de una heteroestructura de barrera simple de materiales semiconductores III - V, considerando una perturbación externa. En los cálculos, usando la Aproximación Dispersiva Multicomponente, se incluyó la interacción con un campo eléctrico externo paralelo a la dirección de propagación – perpendicular a las intercaras – y se estudiaron las las magnitudes relevantes del transporte cuántico de huecos – transmisión, conductancia y tiempo de fase. Este form a lismo nos permitió considerar simultán eamente todos los canales propagantes. Para el sistema de la barrera simple, se estudió la dependencia de la conductancia con el campo aplicado a través de los diferentes canales de huecos. Igualmente, se analizó cómo el aumento del in - plane momentum κ T afecta los resultados, lo cuál nos brinda una idea de cómo el acoplamiento entre bandas influencia la transmisión con un voltaje aplicado. Adicionalmente, fijando diferentes valores de la mezcla interbanda, se hizo un breve estudio del tiempo de transmi sión de la fase como función del voltaje aplicado en la heteroestructura. Nuestros resultados fueron exitósamente comparados con algunos comportamientos obtenidos previamente en el tunelaje de huecos a través de heteroestructuras semiconductoras usando dif erentes aproximaciones.http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=203348274001 |
| spellingShingle | L. Diago-Cisneros S. Arias-Laso Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier Nova Scientia |
| title | Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| title_full | Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| title_fullStr | Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| title_full_unstemmed | Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| title_short | Simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| title_sort | simultaneous hole scattering in a biased simple barrier |
| url | http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=203348274001 |
| work_keys_str_mv | AT ldiagocisneros simultaneousholescatteringinabiasedsimplebarrier AT sariaslaso simultaneousholescatteringinabiasedsimplebarrier |