Elektrokimyasal büyütme tekniğiyle büyütülen geçirgen NiO ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
ITO altlık üzerine geçirgen NiO (nikel oksit) ince filmler farklı katodik akımlarda elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütülmüştür. Büyütme sonrası filmler 350 °C’de hava ortamında 2 sa. tavlanmıştır. X-ışını kırınım (XRD) örnekleri altlık üzerine büyütülen filmlerin (111), (200) ve (222) yöneli...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Pamukkale University
2018-12-01
|
| Series: | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/41410/504325?publisher=pamukkale |
| Summary: | ITO
altlık üzerine geçirgen NiO (nikel oksit) ince filmler farklı katodik akımlarda
elektrokimyasal büyütme tekniği ile büyütülmüştür. Büyütme sonrası filmler 350
°C’de hava ortamında 2 sa. tavlanmıştır. X-ışını kırınım (XRD) örnekleri altlık
üzerine büyütülen filmlerin (111), (200) ve (222) yönelimlere sahip tek fazlı
kübik yapılı polikristal olduklarını göstermiştir. Soğurma ölçümleriyle büyütülen NiO filmlerin
band aralığı 2.85 eV olarak hesaplanmıştır. 310-800 nm aralığında alınan
Fotolüminesans (PL) ölçümlerinden NiO ince filmlerin üç emisyon pikine sahip
olduğu görülmüştür. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve atomik kuvvet mikroskobu
(AFM) ile büyütülen filmlerin yüzey morfolojisi incelenmiştir. Fourier
Dönüşümlü İnfrared Spektroskopi (FTIR) analizleriyle filmlerin oluşumunda Ni-O
bağların titreşim modlarına sahip olduğu ortaya çıkarılmış ve filmlerin görünür
bölgede %50 ile %80 arasında ortalama bir optik geçirgenliğe sahip olduğu
görülmüştür. XPS ölçümleri Ni/O yönelimi ve farklı büyütme koşullarına bağlı
olarak büyütülen NiO filmlerin kimyasal bağlanma durumları gibi kimyasal
özelliklerini incelemek için gerçekleştirilmiştir. Raman ölçümleri
elektrokimyasal olarak büyütülen NiO filmlerinin stokiyometrik olmadığını
göstermiştir. Görüldüğü gibi, NiO nanoparçacıkların yoğunluğu ve morfolojisinin
optoelektronik aygıtların oluşumunda oldukça önemli olduğu anlaşılmıştır. |
|---|---|
| ISSN: | 1300-7009 2147-5881 |