The effect of ambient temperature on the linear and nonlinear optical properties of truncated pyramidal-shaped InAs/GaAs quantum dot
In this work, we calculated the energy levels of truncatedpyramidal-shaped InAs/GaAs QDs by using the finiteelement method by taking into account the ambienttemperature, because the system under study is notsymmetric, it is impossible to use the analytical methodto find the wave functions and energy...
Հիմնական հեղինակներ: | MohammadAmin ZekavatFetrat, Mohammad Sabaeian, Ghahraman Solookinejad |
---|---|
Ձևաչափ: | Հոդված |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
Islamic Azad University, Marvdasht Branch
2021-08-01
|
Շարք: | Journal of Optoelectronical Nanostructures |
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://jopn.marvdasht.iau.ir/article_4980_b85859949c9fac38eae20ef4d9dd6ac8.pdf |
Նմանատիպ նյութեր
-
Quantitative strain analysis of InAs/GaAs quantum dot materials
: Vullum, Per Erik, և այլն
Հրապարակվել է: (2018) -
Comparative Study of Photoelectric Properties of Metamorphic InAs/InGaAs and InAs/GaAs Quantum Dot Structures
: Sergii Golovynskyi, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-05-01) -
Guided self-assembly of lateral InAs/GaAs quantum-dot molecules for single molecule spectroscopy
: Krause B, և այլն
Հրապարակվել է: (2006-01-01) -
Effects of Thermal Annealing on the Dynamic Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers
: H. X. Zhao, և այլն
Հրապարակվել է: (2010-01-01) -
Multi-scale ordering of self-assembled InAs/GaAs(001) quantum dots
: Kiravittaya S, և այլն
Հրապարակվել է: (2006-01-01)