1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器

文章介绍了采用0.35μm双极型互补氧化物半导体（B iCMOS）工艺制作的光纤通信用低功耗的1.25 Gb it/s限幅放大器,其电路采用3.3 V单电源供电,电路增益可以达到70 dB,功耗为20 mW,在27 dB的输入动态范围内,可以保持800 mV的恒定输出摆幅。整个芯片的面积为1.30 mm×0.75 mm。...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	周华
Format:	Article
Language:	zho
Published:	《光通信研究》编辑部 2006-01-01
Series:	Guangtongxin yanjiu
Subjects:	光接收机;限幅放大器;双极型互补氧化物半导体工艺;正发射极耦合逻辑电平
Online Access:	http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2006.05.022

_version_	1811174625185366016
author	周华
author_facet	周华
author_sort	周华
collection	DOAJ
description	文章介绍了采用0.35μm双极型互补氧化物半导体（B iCMOS）工艺制作的光纤通信用低功耗的1.25 Gb it/s限幅放大器,其电路采用3.3 V单电源供电,电路增益可以达到70 dB,功耗为20 mW,在27 dB的输入动态范围内,可以保持800 mV的恒定输出摆幅。整个芯片的面积为1.30 mm×0.75 mm。
first_indexed	2024-04-10T19:24:16Z
format	Article
id	doaj.art-0e8cdeab21d54c819b9092c71b96c14c
institution	Directory Open Access Journal
issn	1005-8788
language	zho
last_indexed	2024-04-10T19:24:16Z
publishDate	2006-01-01
publisher	《光通信研究》编辑部
record_format	Article
series	Guangtongxin yanjiu
spelling	doaj.art-0e8cdeab21d54c819b9092c71b96c14c2023-01-30T09:51:13Zzho《光通信研究》编辑部Guangtongxin yanjiu1005-87882006-01-016870275145721.25 Gbit/s光接收机限幅放大器周华文章介绍了采用0.35μm双极型互补氧化物半导体（B iCMOS）工艺制作的光纤通信用低功耗的1.25 Gb it/s限幅放大器,其电路采用3.3 V单电源供电,电路增益可以达到70 dB,功耗为20 mW,在27 dB的输入动态范围内,可以保持800 mV的恒定输出摆幅。整个芯片的面积为1.30 mm×0.75 mm。http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2006.05.022光接收机;限幅放大器;双极型互补氧化物半导体工艺;正发射极耦合逻辑电平
spellingShingle	周华 1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器 Guangtongxin yanjiu 光接收机;限幅放大器;双极型互补氧化物半导体工艺;正发射极耦合逻辑电平
title	1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器
title_full	1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器
title_fullStr	1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器
title_full_unstemmed	1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器
title_short	1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器
title_sort	1 25 gbit s光接收机限幅放大器
topic	光接收机;限幅放大器;双极型互补氧化物半导体工艺;正发射极耦合逻辑电平
url	http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2006.05.022
work_keys_str_mv	AT zhōuhuá 125gbitsguāngjiēshōujīxiànfúfàngdàqì

1.25 Gbit/s光接收机限幅放大器

Similar Items