Pengaruh Lama Penumbuhan Titanium Dioksida Didoping Copper Terhadap Energi Gap
Deposisi lapisan TiO2 didoping Cu telah berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metoda Liquid Phase Deposition (LPD). Lapisan TiO2-Cu dibuat dengan menggunakan material Ammonium hexafluorotitanate ((NH4)2TiF6), Copper (II) Nitrate hydrate (Cu(NO3)2·xH2O), dan Hexamethylen tetramine (C6H12N4). Dala...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Andalas
2017-01-01
|
| Series: | JIF (Jurnal Ilmu Fisika) |
| Online Access: | http://jif.fmipa.unand.ac.id/index.php/jif/article/view/151 |
| Summary: | Deposisi lapisan TiO2 didoping Cu telah berhasil ditumbuhkan dengan menggunakan metoda Liquid Phase Deposition (LPD). Lapisan TiO2-Cu dibuat dengan menggunakan material Ammonium hexafluorotitanate ((NH4)2TiF6), Copper (II) Nitrate hydrate (Cu(NO3)2·xH2O), dan Hexamethylen tetramine (C6H12N4). Dalam penelitian ini dilakukan variasi lama penumbuhan lapisan yaitu 3 jam, 5 jam, 7 jam dan 10 jam. Lapisan TiO2-Cu dikarakterisasi menggunakan Spektrometri Ultraviolet-Visible (UV-Vis) untuk menentukan energi gap melalui spektra difusi reflektansi. Hasil energi gap yang diperoleh pada lapisan TiO2-Cu dengan variasi lama penumbuhan yaitu antara 3,26-3,30 eV.
Kata kunci: Titanium dioksida (TiO2), Liquid Phase Deposition (LPD) dan doping
Â
|
|---|---|
| ISSN: | 1979-4657 2614-7386 |