| Summary: | Bu
çalışmada WIEN2k bilgisayar programı kullanılarak ideal ve bükülmüş grafenin
elektron yoğunluğu, durum yoğunluğu ve band yapısı elde edilmiştir. Burada ideal
ve bükülmüş grafenin 2x2x1, 2x3x1 ve 3x2x1 boyutları çalışılmıştır.
Her bir nanoşerit için 100, 200, 300 ve 500 k noktası kullanılmıştır. Elektronik durum yoğunluğu ve band
yapıları, kristalin yarıiletken özellik sergilediğini göstermektedir.
Yarıiletken özellik gösteren ideal ve ideal olmayan kristallerin yasak band
aralığı, ideale göre ideal olmayan (bükülmüş) kristalde daha büyüktür. İdeal
grafende gözlenen sıfıra çok yakın yasak band aralığı malzemenin metal
özelliğine yatkınlığını ortaya koymaktadır. Ancak, genel anlamda, yarıiletken
özelliğinin dikkat çektiğini gördüğümüz bükülmüş grafenin yasak band aralığı
yaklaşık 0.7-1.9 eV aralığında değer almıştır.
|
|---|