Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур
Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що знаходиться у приповерхневій області кристала. Досліджено намагніченість до 0,4 Тл та магнетоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2018-06-01
|
| Series: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elc.kpi.ua/article/view/130790 |
| _version_ | 1818900146582192128 |
|---|---|
| author | Antolii Oleksandrovych Druzhynin Ihor Petrovych Ostrovskyi Yurii Mykolaiovych Khoverko Nazar Ihorovych Kucherepa |
| author_facet | Antolii Oleksandrovych Druzhynin Ihor Petrovych Ostrovskyi Yurii Mykolaiovych Khoverko Nazar Ihorovych Kucherepa |
| author_sort | Antolii Oleksandrovych Druzhynin |
| collection | DOAJ |
| description | Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що знаходиться у приповерхневій області кристала. Досліджено намагніченість до 0,4 Тл та магнетоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температури 4,2 К. Проведено детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si<B, Ni>. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнту від’ємного магнетоопору від намагніченості в мікрокристалах кремнію для інтервалу намагніченості більше 5´105 A/м, що відповідає стрибковій провідності носіїв заряду по двічі зайнятим домішковим станам. Натомість для малих М до 5´105 A/м порушується квадратична залежність магнетоопору від намагніченості, що пов’язано із стрибковим механізмом перенесення носіїв заряду по однозайнятим домішковим рівням. Встановлено, що введення магнітної домішки може вплинути на електромагнітні властивості кристала, пов'язані з транспортом носіїв заряду шляхом стрибкового тунелювання в приповерхневій зоні.
Бібл. 30, рис. 5, табл. 1. |
| first_indexed | 2024-12-19T19:59:13Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-1628cbe165d243399cc8631eee8ff38f |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2523-4447 2523-4455 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-12-19T19:59:13Z |
| publishDate | 2018-06-01 |
| publisher | Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute |
| record_format | Article |
| series | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| spelling | doaj.art-1628cbe165d243399cc8631eee8ff38f2022-12-21T20:07:43ZengIgor Sikorsky Kyiv Polytechnic InstituteMìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika2523-44472523-44552018-06-0123310.20535/2523-4455.2018.23.3.130790130790Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температурAntolii Oleksandrovych Druzhynin0Ihor Petrovych Ostrovskyi1Yurii Mykolaiovych Khoverko2Nazar Ihorovych Kucherepa3Національний університет "Львівська політехніка"Національний університет "Львівська політехніка"Національний університет "Львівська політехніка"Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що знаходиться у приповерхневій області кристала. Досліджено намагніченість до 0,4 Тл та магнетоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температури 4,2 К. Проведено детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si<B, Ni>. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнту від’ємного магнетоопору від намагніченості в мікрокристалах кремнію для інтервалу намагніченості більше 5´105 A/м, що відповідає стрибковій провідності носіїв заряду по двічі зайнятим домішковим станам. Натомість для малих М до 5´105 A/м порушується квадратична залежність магнетоопору від намагніченості, що пов’язано із стрибковим механізмом перенесення носіїв заряду по однозайнятим домішковим рівням. Встановлено, що введення магнітної домішки може вплинути на електромагнітні властивості кристала, пов'язані з транспортом носіїв заряду шляхом стрибкового тунелювання в приповерхневій зоні. Бібл. 30, рис. 5, табл. 1.http://elc.kpi.ua/article/view/130790стрибкова провідністьмікрокристалнегативний магнетоопірспінкріогенні температури |
| spellingShingle | Antolii Oleksandrovych Druzhynin Ihor Petrovych Ostrovskyi Yurii Mykolaiovych Khoverko Nazar Ihorovych Kucherepa Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika стрибкова провідність мікрокристал негативний магнетоопір спін кріогенні температури |
| title | Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| title_full | Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| title_fullStr | Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| title_full_unstemmed | Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| title_short | Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| title_sort | особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур |
| topic | стрибкова провідність мікрокристал негативний магнетоопір спін кріогенні температури |
| url | http://elc.kpi.ua/article/view/130790 |
| work_keys_str_mv | AT antoliioleksandrovychdruzhynin osoblivostípripoverhnevoíprovídnostíkremníêvihmíkrostrukturzanizʹkihtemperatur AT ihorpetrovychostrovskyi osoblivostípripoverhnevoíprovídnostíkremníêvihmíkrostrukturzanizʹkihtemperatur AT yuriimykolaiovychkhoverko osoblivostípripoverhnevoíprovídnostíkremníêvihmíkrostrukturzanizʹkihtemperatur AT nazarihorovychkucherepa osoblivostípripoverhnevoíprovídnostíkremníêvihmíkrostrukturzanizʹkihtemperatur |