AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Amplifier for High-Temperature Operation

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Amplifier for High-Temperature Operation

This paper presents a high gain voltage amplifier based on AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) with monolithically integrated enhancement-mode (E-mode) and depletion-mode (D-mode) devices. The GaN amplifier consists of differential pair based on E-m...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Pingyu Cao, Kepeng Zhao, Harm Van Zalinge, Ping Zhang, Miao Cui, Fei Xue
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: IEEE 2024-01-01
Շարք:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:
Amplifier
monolithic integration GaN-on-Si circuits
metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors
high-temperature
Առցանց հասանելիություն:https://ieeexplore.ieee.org/document/10737042/

Համացանց

https://ieeexplore.ieee.org/document/10737042/

Նմանատիպ նյութեր