850nm氧化限制型VCSEL研究
通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信....
| Main Authors: | , , , |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
2004-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2004.02.011 |