مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA
در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2014-02-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10895_3ecf9019075c11eb14f64434278a0b33.pdf |
| _version_ | 1797389325334216704 |
|---|---|
| author | مهرداد دادستانی راضیه مؤمنی فیلی آزاده بیرانوند |
| author_facet | مهرداد دادستانی راضیه مؤمنی فیلی آزاده بیرانوند |
| author_sort | مهرداد دادستانی |
| collection | DOAJ |
| description | در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده از تقریب فاز کاتوره‌ای (RPA) بررسی شده است. ضمن تحلیل ساختارهای اصلی در طیف‌‌های قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک و اتلاف انرژی الکترون، مقادیر ثابت دی‌الکتریک استاتیک برای این ترکیبات محاسبه شده است. برجسته‌ترین ویژگی این ترکیبات، ضریب جذب بالا و طیف جذب پهن آن‌ها می‌باشد که پارامتر مناسبی جهت بکارگیری در سلول‌های خورشیدی است. در بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری ترکیبات با استفاده از سه تقریب PBE-GGA، EV-GGA و mBJ-GGA محاسبه و تاثیر تابعی تبادلی-همبستگی بر روی گاف این ترکیبات بررسی شده است. در مقایسه با GGA، انرژی گاف از روش mBJ-GGA توافق بهتری با نتایج تجربی موجود دارد. |
| first_indexed | 2024-03-08T22:54:14Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-1e8a3a369f224790bb729fad8fa2e546 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2322-231X 2588-4980 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-03-08T22:54:14Z |
| publishDate | 2014-02-01 |
| publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
| record_format | Article |
| series | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| spelling | doaj.art-1e8a3a369f224790bb729fad8fa2e5462023-12-16T06:27:51ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802014-02-013692410895مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGAمهرداد دادستانی0راضیه مؤمنی فیلی1آزاده بیرانوند2عضو هیئت علمی دانشگاه لرستانمربی حق التدریسمربی حق التدریسدر این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده از تقریب فاز کاتوره‌ای (RPA) بررسی شده است. ضمن تحلیل ساختارهای اصلی در طیف‌‌های قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک و اتلاف انرژی الکترون، مقادیر ثابت دی‌الکتریک استاتیک برای این ترکیبات محاسبه شده است. برجسته‌ترین ویژگی این ترکیبات، ضریب جذب بالا و طیف جذب پهن آن‌ها می‌باشد که پارامتر مناسبی جهت بکارگیری در سلول‌های خورشیدی است. در بررسی خواص الکترونی، ساختار نواری ترکیبات با استفاده از سه تقریب PBE-GGA، EV-GGA و mBJ-GGA محاسبه و تاثیر تابعی تبادلی-همبستگی بر روی گاف این ترکیبات بررسی شده است. در مقایسه با GGA، انرژی گاف از روش mBJ-GGA توافق بهتری با نتایج تجربی موجود دارد.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10895_3ecf9019075c11eb14f64434278a0b33.pdfکلکوژنیدهای چهارتایی‌نظریة تابعی چگالیخواص الکترونی و اپتیکیggambj |
| spellingShingle | مهرداد دادستانی راضیه مؤمنی فیلی آزاده بیرانوند مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای کلکوژنیدهای چهارتایی نظریة تابعی چگالی خواص الکترونی و اپتیکی gga mbj |
| title | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA |
| title_full | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA |
| title_fullStr | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA |
| title_full_unstemmed | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA |
| title_short | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA |
| title_sort | مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2 ii iv vi4 ii zn cd iv ge sn vi s se te با استفاده از تقریب‌های gga و mbj gga |
| topic | کلکوژنیدهای چهارتایی نظریة تابعی چگالی خواص الکترونی و اپتیکی gga mbj |
| url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_10895_3ecf9019075c11eb14f64434278a0b33.pdf |
| work_keys_str_mv | AT mhrdạddạdstạny mṭạlʿhkẖwạṣạlḵtrwnywạptyḵyḵlḵwzẖnydhạycẖhạrtạyycu2iiivvi4iizncdivgesnvissetebạạstfạdhạztqrybhạyggawmbjgga AT rạḍyhmwmnyfyly mṭạlʿhkẖwạṣạlḵtrwnywạptyḵyḵlḵwzẖnydhạycẖhạrtạyycu2iiivvi4iizncdivgesnvissetebạạstfạdhạztqrybhạyggawmbjgga AT ậzạdhbyrạnwnd mṭạlʿhkẖwạṣạlḵtrwnywạptyḵyḵlḵwzẖnydhạycẖhạrtạyycu2iiivvi4iizncdivgesnvissetebạạstfạdhạztqrybhạyggawmbjgga |