Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices
The thermoelectric properties of n-type InGaN alloys with high In-content and InN/InGaN thin film superlattices (SL) grown by molecular beam epitaxy are investigated. Room-temperature measurements of the thermoelectric properties reveal that an increasing Ga-content in ternary InGaN alloys (0 < x...
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Հոդված |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
AIP Publishing LLC
2016-04-01
|
| Շարք: | AIP Advances |
| Առցանց հասանելիություն: | http://dx.doi.org/10.1063/1.4948446 |