Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices

The thermoelectric properties of n-type InGaN alloys with high In-content and InN/InGaN thin film superlattices (SL) grown by molecular beam epitaxy are investigated. Room-temperature measurements of the thermoelectric properties reveal that an increasing Ga-content in ternary InGaN alloys (0 < x...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: James (Zi-Jian) Ju, Bo Sun, Georg Haunschild, Bernhard Loitsch, Benedikt Stoib, Martin S. Brandt, Martin Stutzmann, Yee Kan Koh, Gregor Koblmüller
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: AIP Publishing LLC 2016-04-01
Loạt:AIP Advances
Truy cập trực tuyến:http://dx.doi.org/10.1063/1.4948446