5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm....
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Language: | zho |
Published: |
《光通信研究》编辑部
2004-01-01
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Series: | Guangtongxin yanjiu |
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spelling | doaj.art-2b7a687c800f4f13b955895339fbd5842023-01-30T09:48:11Zzho《光通信研究》编辑部Guangtongxin yanjiu1005-87882004-01-013941275105985GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO陈莹梅王志功朱恩冯军章丽文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm.http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2004.02.012电压控制振荡器;CMOS振荡器;环形振荡器;相位噪声 |
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