Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si
Данная работа посвящена подтверждению спонтанного легирования GaN нитевидных нанокристаллов, выращенных на вицинальных гибридных подложках SiC/Si, методом картирования тока, наведенного электронным пучком. Нитевидные нанокристаллы (ННК) GaN выращивались на сингулярных и вицинальных подложках S...
| Main Authors: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Voronezh State University
2023-12-01
|
| Series: | Конденсированные среды и межфазные границы |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11474 |
| _version_ | 1797375370069016576 |
|---|---|
| author | Родион Романович Резник Владислав Олегович Гридчин Константин Павлович Котляр Владимир Владимирович Неплох Андрей Викторович Осипов Сергей Арсеньевич Кукушкин Omar Saket Maria Tchernycheva Георгий Эрнстович Цырлин |
| author_facet | Родион Романович Резник Владислав Олегович Гридчин Константин Павлович Котляр Владимир Владимирович Неплох Андрей Викторович Осипов Сергей Арсеньевич Кукушкин Omar Saket Maria Tchernycheva Георгий Эрнстович Цырлин |
| author_sort | Родион Романович Резник |
| collection | DOAJ |
| description | Данная работа посвящена подтверждению спонтанного легирования GaN нитевидных нанокристаллов, выращенных на вицинальных гибридных подложках SiC/Si, методом картирования тока, наведенного электронным пучком.
Нитевидные нанокристаллы (ННК) GaN выращивались на сингулярных и вицинальных подложках SiC/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Морфологические свойства нитевидных нанокристаллов исследуются методами растровой электронной микроскопии. Электрофизические свойства выращенных наноструктур исследуются методом картирования тока, наведенного электронным пучком.
Методом картирования тока, наведенного электронным пучком, нами было подтверждено спонтанное легирование GaN ННК, выращенных на вицинальных пластинах SiC/Si. В свою очередь, было показано, что выращенные на сингулярных подложках SiC/Si GaN ННК не демонстрирует сигнала наведённого тока, что указывает на отсутствие легирования в таком ННК |
| first_indexed | 2024-03-08T19:23:18Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-2f60052adcee403d8b310b83689b5678 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1606-867X |
| language | English |
| last_indexed | 2024-03-08T19:23:18Z |
| publishDate | 2023-12-01 |
| publisher | Voronezh State University |
| record_format | Article |
| series | Конденсированные среды и межфазные границы |
| spelling | doaj.art-2f60052adcee403d8b310b83689b56782023-12-26T12:54:34ZengVoronezh State UniversityКонденсированные среды и межфазные границы1606-867X2023-12-0125410.17308/kcmf.2023.25/11474Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/SiРодион Романович Резник0https://orcid.org/0000-0003-1420-7515Владислав Олегович Гридчин1https://orcid.org/0000-0002-6522-3673Константин Павлович Котляр2https://orcid.org/0000-0002-0305-0156Владимир Владимирович Неплох3https://orcid.org/0000-0001-8158-0681Андрей Викторович Осипов4https://orcid.org/0000-0002-2911-7806Сергей Арсеньевич Кукушкин5https://orcid.org/0000-0002-2973-8645Omar Saket6https://orcid.org/0000-0002-9002-5871Maria Tchernycheva7https://orcid.org/0000-0003-4144-0793Георгий Эрнстович Цырлин8https://orcid.org/0000-0003-0476-3630ФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет», Университетская набережная, 7-9, Санкт-Петербург 199034, Российская Федерация; ФГБОУ ВОН «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук», ул. Хлопина, 8, к. 3, Санкт-Петербург 194021, Российская Федерация; ФГБОУН «Институт аналитического приборостроения Российской академии наук», ул. Ивана Черных, 31-33, Санкт-Петербург 198095, Российская ФедерацияФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет», Университетская набережная, 7-9, Санкт-Петербург 199034, Российская Федерация; ФГБОУ ВОН «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук», ул. Хлопина, 8, к. 3, Санкт-Петербург 194021, Российская Федерация; ФГБОУН «Институт аналитического приборостроения Российской академии наук», ул. Ивана Черных, 31-33, Санкт-Петербург 198095, Российская ФедерацияФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет», Университетская набережная, 7-9, Санкт-Петербург 199034, Российская Федерация; ФГБОУ ВОН «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук», ул. Хлопина, 8, к. 3, Санкт-Петербург 194021, Российская Федерация; ФГБОУН «Институт аналитического приборостроения Российской академии наук», ул. Ивана Черных, 31-33, Санкт-Петербург 198095, Российская ФедерацияФГБОУ ВОН «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук», ул. Хлопина, 8, к. 3, Санкт-Петербург 194021, Российская ФедерацияФГБУН «Институт Проблем Машиноведения Российской академии наук», Большой проспект В.О, 61, Санкт-Петербург 199178, Российская ФедерацияФГБУН «Институт Проблем Машиноведения Российской академии наук», Большой проспект В.О, 61, Санкт-Петербург 199178, Российская ФедерацияCentre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Univ. Paris-Saclay, 10 Boulevard Thomas, Gobert, Palaiseau 91120, ФранцияCentre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Univ. Paris-Saclay, 10 Boulevard Thomas, Gobert, Palaiseau 91120, ФранцияФГБОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный университет», Университетская набережная, 7-9, Санкт-Петербург 199034, Российская Федерация; ФГБОУ ВОН «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук», ул. Хлопина, 8, к. 3, Санкт-Петербург 194021, Российская Федерация; ФГБОУН «Институт аналитического приборостроения Российской академии наук», ул. Ивана Черных, 31-33, Санкт-Петербург 198095, Российская ФедерацияДанная работа посвящена подтверждению спонтанного легирования GaN нитевидных нанокристаллов, выращенных на вицинальных гибридных подложках SiC/Si, методом картирования тока, наведенного электронным пучком. Нитевидные нанокристаллы (ННК) GaN выращивались на сингулярных и вицинальных подложках SiC/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Морфологические свойства нитевидных нанокристаллов исследуются методами растровой электронной микроскопии. Электрофизические свойства выращенных наноструктур исследуются методом картирования тока, наведенного электронным пучком. Методом картирования тока, наведенного электронным пучком, нами было подтверждено спонтанное легирование GaN ННК, выращенных на вицинальных пластинах SiC/Si. В свою очередь, было показано, что выращенные на сингулярных подложках SiC/Si GaN ННК не демонстрирует сигнала наведённого тока, что указывает на отсутствие легирования в таком ННКhttps://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11474полупроводникиganнитевидные нанокристаллымолекулярно-пучковая эпитаксияспонтанное легированиекремнийкарбид кремнияметод наведённого тока |
| spellingShingle | Родион Романович Резник Владислав Олегович Гридчин Константин Павлович Котляр Владимир Владимирович Неплох Андрей Викторович Осипов Сергей Арсеньевич Кукушкин Omar Saket Maria Tchernycheva Георгий Эрнстович Цырлин Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si Конденсированные среды и межфазные границы полупроводники gan нитевидные нанокристаллы молекулярно-пучковая эпитаксия спонтанное легирование кремний карбид кремния метод наведённого тока |
| title | Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si |
| title_full | Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si |
| title_fullStr | Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si |
| title_full_unstemmed | Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si |
| title_short | Подтверждение методом картирования тока, наведенного электронным пучком, самопроизвольного легирования GaN нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки SiC/Si |
| title_sort | подтверждение методом картирования тока наведенного электронным пучком самопроизвольного легирования gan нитевидных нанокристаллов из вицинальной подложки sic si |
| topic | полупроводники gan нитевидные нанокристаллы молекулярно-пучковая эпитаксия спонтанное легирование кремний карбид кремния метод наведённого тока |
| url | https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11474 |
| work_keys_str_mv | AT rodionromanovičreznik podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT vladislavolegovičgridčin podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT konstantinpavlovičkotlâr podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT vladimirvladimirovičneploh podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT andrejviktorovičosipov podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT sergejarsenʹevičkukuškin podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT omarsaket podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT mariatchernycheva podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi AT georgijérnstovičcyrlin podtverždeniemetodomkartirovaniâtokanavedennogoélektronnympučkomsamoproizvolʹnogolegirovaniâgannitevidnyhnanokristallovizvicinalʹnojpodložkisicsi |