Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл
Выполнены термодинамические расчеты при стандартных условиях химических реакций, протекающих при сульфидной пассивации поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge), нитридов галлия, индия, алюминия (GaN, InN, AlN). Осуществление сульфидной пассивации нитрида алюминия, кремния и германия термоди...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Altai State University
2018-09-01
|
| Series: | Известия Алтайского государственного университета |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://izvestiya.asu.ru/article/view/4474 |