Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura
Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing....
Main Authors: | , , , , , |
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Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Elsevier
2004-04-01
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Series: | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
Subjects: | |
Online Access: | http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/544/564 |
_version_ | 1811238556561047552 |
---|---|
author | Herrera, M. González, D. González, M. U. González, Y. González, L. García, R. |
author_facet | Herrera, M. González, D. González, M. U. González, Y. González, L. García, R. |
author_sort | Herrera, M. |
collection | DOAJ |
description | Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing. The final plastic relaxation degree reached in this way is lower than in high temperature growth, due to the availability of a single surface where misfit dislocations could nucleate. In addition, we have observed that composition modulation even delays plastic relaxation flow, since it introduces tension points that block the dislocation movement, causing the strain-hardening of the alloy.<br><br>En este trabajo se han estudiado capas simples de InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC y 500ºC por Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y Difracción de Rayos X de Doble Cristal (DCXRD). Los resultados obtenidos muestran que el crecimiento a baja temperatura inhibe el proceso de relajación plástica, apareciendo las dislocaciones de desajuste (DD) durante el ciclo térmico posterior al crecimiento. El grado de relajación plástica final alcanzado en las muestras recocidas es inferior respecto de las crecidas a alta temperatura, debido a la existencia de una sola superficie donde nuclear dichas dislocaciones. Además, se ha observado que la modulación de composición también dificulta la relajación plástica, ya que introduce puntos de tensión en el seno del material que obstaculizan el movimiento de las dislocaciones, tanto en estructuras crecidas a alta como a baja temperatura. |
first_indexed | 2024-04-12T12:44:49Z |
format | Article |
id | doaj.art-3ea8d7c5fa2c4861a60a529692011ca5 |
institution | Directory Open Access Journal |
issn | 0366-3175 |
language | English |
last_indexed | 2024-04-12T12:44:49Z |
publishDate | 2004-04-01 |
publisher | Elsevier |
record_format | Article |
series | Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio |
spelling | doaj.art-3ea8d7c5fa2c4861a60a529692011ca52022-12-22T03:32:40ZengElsevierBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio0366-31752004-04-01432376378Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperaturaHerrera, M.González, D.González, M. U.González, Y.González, L.García, R.Low and high temperature grown InGaAs/GaAs(001) epilayers have been studied by Transmission Electron Microscopy and Double Crystal X Ray Diffraction. Our results show that low temperature growth inhibits plastic relaxation, and misfit dislocations only appearing in the subsequent thermal annealing. The final plastic relaxation degree reached in this way is lower than in high temperature growth, due to the availability of a single surface where misfit dislocations could nucleate. In addition, we have observed that composition modulation even delays plastic relaxation flow, since it introduces tension points that block the dislocation movement, causing the strain-hardening of the alloy.<br><br>En este trabajo se han estudiado capas simples de InGaAs/GaAs(001) crecidas a 200ºC y 500ºC por Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) y Difracción de Rayos X de Doble Cristal (DCXRD). Los resultados obtenidos muestran que el crecimiento a baja temperatura inhibe el proceso de relajación plástica, apareciendo las dislocaciones de desajuste (DD) durante el ciclo térmico posterior al crecimiento. El grado de relajación plástica final alcanzado en las muestras recocidas es inferior respecto de las crecidas a alta temperatura, debido a la existencia de una sola superficie donde nuclear dichas dislocaciones. Además, se ha observado que la modulación de composición también dificulta la relajación plástica, ya que introduce puntos de tensión en el seno del material que obstaculizan el movimiento de las dislocaciones, tanto en estructuras crecidas a alta como a baja temperatura.http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/544/564Relaxation inhibitionlow temperature growthcomposition modulationInGaAs/GaAs(001)TEMInhibición de la relajacióncrecimiento a baja temperaturemodulación de composiciónInGaAs/GaAs(001)TEM |
spellingShingle | Herrera, M. González, D. González, M. U. González, Y. González, L. García, R. Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio Relaxation inhibition low temperature growth composition modulation InGaAs/GaAs(001) TEM Inhibición de la relajación crecimiento a baja temperature modulación de composición InGaAs/GaAs(001) TEM |
title | Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura |
title_full | Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura |
title_fullStr | Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura |
title_full_unstemmed | Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura |
title_short | Inhibición de la relajación plástica en heteroestructuras InGaAs/GaAs(001) crecidas a baja temperatura |
title_sort | inhibicion de la relajacion plastica en heteroestructuras ingaas gaas 001 crecidas a baja temperatura |
topic | Relaxation inhibition low temperature growth composition modulation InGaAs/GaAs(001) TEM Inhibición de la relajación crecimiento a baja temperature modulación de composición InGaAs/GaAs(001) TEM |
url | http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/544/564 |
work_keys_str_mv | AT herreram inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura AT gonzalezd inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura AT gonzalezmu inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura AT gonzalezy inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura AT gonzalezl inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura AT garciar inhibiciondelarelajacionplasticaenheteroestructurasingaasgaas001crecidasabajatemperatura |