Summary: | Los óxidos de zinc dopados con Al (AZO) son promisorios reemplazantes de los óxidos de indio dopados con Sn (ITO) pero sus películas delgadas muestran un amplio rango de propiedades fuertemente dependientes de las condiciones del proceso de deposición. Se examinan cerámicos de granulometría submicrométrica de óxido de zinc dopado con 1% de aluminio, preparados por coprecipitación en solución acuosa, a partir de Zn(NO3)2 y Al(NO3)3, sinterizados a 1200°C y subsecuentemente templados en atmósfera controlada de 10-16 atm de oxígeno, a 1000°C. La resistividad eléctrica disminuye en dos órdenes de magnitud en las primeras dos horas de templado y el coeficiente Seebeck cambia de -140 a -50 μV/K gradualmente en 8 h. Se concluye que el aumento de la movilidad domina sobre el de densidad de portadores, inducido por cambios de la estequiometria metal oxígeno.
|