Surface Passivation of Crystalline Silicon Wafer Using H<sub>2</sub>S Gas

Surface Passivation of Crystalline Silicon Wafer Using H<sub>2</sub>S Gas

We report the effects of H<sub>2</sub>S passivation on the effective minority carrier lifetime of crystalline silicon (c-Si) wafers. c-Si wafers were thermally annealed under an H<sub>2</sub>S atmosphere at various temperatures. The initial minority carrier lifetime (6.97 μs)...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Jian Lin, Hongsub Jee, Jangwon Yoo, Junsin Yi, Chaehwan Jeong, Jaehyeong Lee
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: MDPI AG 2021-04-01
Շարք:Applied Sciences
Խորագրեր:
crystalline silicon
H<sub>2</sub>S
minority carrier lifetime
passivation
dangling bonds
Առցանց հասանելիություն:https://www.mdpi.com/2076-3417/11/8/3527

Համացանց

https://www.mdpi.com/2076-3417/11/8/3527

Նմանատիպ նյութեր