四象限InGaAs APD探测器的研究
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode,APD）的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
2007-01-01
|
| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2007.06.001 |
| _version_ | 1811174666412228608 |
|---|---|
| author | 王致远 李发明 刘方楠 |
| author_facet | 王致远 李发明 刘方楠 |
| author_sort | 王致远 |
| collection | DOAJ |
| description | 文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode,APD）的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。 |
| first_indexed | 2024-04-10T19:23:02Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-52a13663f05e42419bd1aad2c514f8e9 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1005-8788 |
| language | zho |
| last_indexed | 2024-04-10T19:23:02Z |
| publishDate | 2007-01-01 |
| publisher | 《光通信研究》编辑部 |
| record_format | Article |
| series | Guangtongxin yanjiu |
| spelling | doaj.art-52a13663f05e42419bd1aad2c514f8e92023-01-30T09:52:33Zzho《光通信研究》编辑部Guangtongxin yanjiu1005-87882007-01-01434627516363四象限InGaAs APD探测器的研究王致远李发明刘方楠文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode,APD）的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2007.06.001InGaAs雪崩光电二极管;吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管;光谱响应范围;响应度;暗电流 |
| spellingShingle | 王致远 李发明 刘方楠 四象限InGaAs APD探测器的研究 Guangtongxin yanjiu InGaAs雪崩光电二极管;吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管;光谱响应范围;响应度;暗电流 |
| title | 四象限InGaAs APD探测器的研究 |
| title_full | 四象限InGaAs APD探测器的研究 |
| title_fullStr | 四象限InGaAs APD探测器的研究 |
| title_full_unstemmed | 四象限InGaAs APD探测器的研究 |
| title_short | 四象限InGaAs APD探测器的研究 |
| title_sort | 四象限ingaas apd探测器的研究 |
| topic | InGaAs雪崩光电二极管;吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管;光谱响应范围;响应度;暗电流 |
| url | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2007.06.001 |
| work_keys_str_mv | AT wángzhìyuǎn sìxiàngxiàningaasapdtàncèqìdeyánjiū AT lǐfāmíng sìxiàngxiàningaasapdtàncèqìdeyánjiū AT liúfāngnán sìxiàngxiàningaasapdtàncèqìdeyánjiū |