Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів

Технологічні причини пробою p-n-переходу кремнієвих p-i-n фотодіодів

Під час виготовлення координатних квадрантних p-i-n фотодіодів з високою напругою зворотного зміщення Uзм≥200 В було спостережено наявність систематичного браку виробів по рівню темнового струму одного (рідше кількох) фоточутливого елемента. Після вимірювання вольт-амперних характеристик побачено,...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Mykola Stepanovych Kukurudziak
Format: Article
Language:English
Published: Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute 2022-12-01
Series:Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika
Subjects:
кремній
фотодіод
дислокація
темновий струм
клин травлення
пробій p-n-переходу
Online Access:http://elc.kpi.ua/article/view/268299

Similar Items

Similar Items