بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی
در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین،...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2019-02-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13969_d1560814b90207fb0bf320373ca578bf.pdf |
| _version_ | 1797389274264371200 |
|---|---|
| author | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلیزاده آرشتی سپیده کتابی |
| author_facet | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلیزاده آرشتی سپیده کتابی |
| author_sort | فرّخ رؤیا نیکمرام |
| collection | DOAJ |
| description | در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون، فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند. |
| first_indexed | 2024-03-08T22:54:26Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-5a5b302625c14806a8a8c5719b97aed5 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 2322-231X 2588-4980 |
| language | fas |
| last_indexed | 2024-03-08T22:54:26Z |
| publishDate | 2019-02-01 |
| publisher | Shahid Chamran University of Ahvaz |
| record_format | Article |
| series | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| spelling | doaj.art-5a5b302625c14806a8a8c5719b97aed52023-12-16T06:38:57ZfasShahid Chamran University of Ahvazپژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای2322-231X2588-49802019-02-0181920621710.22055/jrmbs.2018.1396913969بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالیفرّخ رؤیا نیکمرام0مریم قلیزاده آرشتی1سپیده کتابی2دانشکده علوم پایه، گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایراندانشکده علوم پایه، گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، تهران، ایراندانشکده علوم پایه، گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شرق.، تهران، ایراندر این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون، فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13969_d1560814b90207fb0bf320373ca578bf.pdfc20 bowlاستخلاف سیلیکونژرمانیمنظریه تابعی چگالیگاف انرژیvoc |
| spellingShingle | فرّخ رؤیا نیکمرام مریم قلیزاده آرشتی سپیده کتابی بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای c20 bowl استخلاف سیلیکون ژرمانیم نظریه تابعی چگالی گاف انرژی voc |
| title | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| title_full | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| title_fullStr | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| title_full_unstemmed | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| title_short | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen , C20-nSin) به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| title_sort | بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n 1 5 c20 ngen c20 nsin به روش نظریۀ تابعی چگالی |
| topic | c20 bowl استخلاف سیلیکون ژرمانیم نظریه تابعی چگالی گاف انرژی voc |
| url | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13969_d1560814b90207fb0bf320373ca578bf.pdf |
| work_keys_str_mv | AT frkẖrwyạnyḵmrạm brrsykẖwạṣạlḵtrwnynạnwsạkẖtạrhạyn15c20ngenc20nsinbhrwsẖnẓryەtạbʿycẖgạly AT mrymqlyzạdhậrsẖty brrsykẖwạṣạlḵtrwnynạnwsạkẖtạrhạyn15c20ngenc20nsinbhrwsẖnẓryەtạbʿycẖgạly AT spydhḵtạby brrsykẖwạṣạlḵtrwnynạnwsạkẖtạrhạyn15c20ngenc20nsinbhrwsẖnẓryەtạbʿycẖgạly |