Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen
Dieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie benötigt gemessene S-Parame...
| Main Authors: | , , , |
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| Format: | Article |
| Language: | deu |
| Published: |
Copernicus Publications
2009-05-01
|
| Series: | Advances in Radio Science |
| Online Access: | http://www.adv-radio-sci.net/7/127/2009/ars-7-127-2009.pdf |
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| author | U. Stürmer S. Ritzmann O. Jovic W. Wilkening |
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| author_sort | U. Stürmer |
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| description | Dieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie benötigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realen Messobjekt anliegenden Störspannungen frequenzabhängig bestimmt werden können. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Silizium gefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der aus einer Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verstärker mit nachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zunächst werden die oben genannten verschiedenen Varianten der DPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand von Messdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur besteht aus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor- und Nachteile der Varianten einschließlich Modellierungsaufwand und Simulationsgeschwindigkeit. |
| first_indexed | 2024-12-23T03:15:04Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-5b26d4e64cde49f98e520de2f7d8ffb5 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1684-9965 1684-9973 |
| language | deu |
| last_indexed | 2024-12-23T03:15:04Z |
| publishDate | 2009-05-01 |
| publisher | Copernicus Publications |
| record_format | Article |
| series | Advances in Radio Science |
| spelling | doaj.art-5b26d4e64cde49f98e520de2f7d8ffb52022-12-21T18:02:07ZdeuCopernicus PublicationsAdvances in Radio Science1684-99651684-99732009-05-017127132Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter SchaltungenU. StürmerS. RitzmannO. JovicW. WilkeningDieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie benötigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realen Messobjekt anliegenden Störspannungen frequenzabhängig bestimmt werden können. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Silizium gefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der aus einer Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verstärker mit nachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zunächst werden die oben genannten verschiedenen Varianten der DPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand von Messdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur besteht aus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor- und Nachteile der Varianten einschließlich Modellierungsaufwand und Simulationsgeschwindigkeit.http://www.adv-radio-sci.net/7/127/2009/ars-7-127-2009.pdf |
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