Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi
Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyel...
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Düzce University
2014-09-01
|
Series: | Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi |
Subjects: | |
Online Access: | http://dergipark.gov.tr/dubited/issue/4807/66211?publisher=duzce |
_version_ | 1797895268946935808 |
---|---|
author | Engin YAĞLIOĞLU Özge TÜZÜN ÖZMEN |
author_facet | Engin YAĞLIOĞLU Özge TÜZÜN ÖZMEN |
author_sort | Engin YAĞLIOĞLU |
collection | DOAJ |
description | Bu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştir |
first_indexed | 2024-04-10T07:23:57Z |
format | Article |
id | doaj.art-5cca4d39a27e4d29b6af9b78b87d3b21 |
institution | Directory Open Access Journal |
issn | 2148-2446 |
language | English |
last_indexed | 2024-04-10T07:23:57Z |
publishDate | 2014-09-01 |
publisher | Düzce University |
record_format | Article |
series | Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi |
spelling | doaj.art-5cca4d39a27e4d29b6af9b78b87d3b212023-02-24T09:45:51ZengDüzce UniversityDüzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi2148-24462014-09-012122723497Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesiEngin YAĞLIOĞLUÖzge TÜZÜN ÖZMENBu çalışmada Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri, oda sıcaklığında 1kHz-1MHz frekans aralığında incelenmiştir. Deneysel sonuçlara göre kapasitans değerlerinin artan frekansla azaldığı tespit edilmiştir. Ayrıca, difüzyon potansiyeli (VD), donör taşıyıcı yoğunluğu (ND), Fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) maksimum elektrik alan (Em), potansiyel bariyer yüksekliği (ΦB), Schottky engel alçalması (ΔΦB) gibi elektriksel parametreler frekansa bağlı C-V ölçümlerinin analizinden elde edilmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, C-V analizinden elde edilen Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky bariyer diyotun temel elektriksel parametreleri, Au/n-Si (MY) Schottky bariyer diyotunkiler ile kıyaslandığında P3HT:PCBM arayüzey organik tabaka sayesinde geliştirilmiştirhttp://dergipark.gov.tr/dubited/issue/4807/66211?publisher=duzceSchottky barrier diode Organic semiconductor Capacitance-voltage (C-V) characteristicsSchottky bariyer diyot Organik yarıiletken Kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri |
spellingShingle | Engin YAĞLIOĞLU Özge TÜZÜN ÖZMEN Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi Schottky barrier diode Organic semiconductor Capacitance-voltage (C-V) characteristics Schottky bariyer diyot Organik yarıiletken Kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri |
title | Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi |
title_full | Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi |
title_fullStr | Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi |
title_full_unstemmed | Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi |
title_short | Au/P3HT:PCBM/n-Si (MPY) Schottky Bariyer Diyotun Bazı Elektriksel Parametrelerinin Frekansa Bağlı Kapasitans-Voltaj (C-V) Karakteristikleri ile İncelenmesi |
title_sort | au p3ht pcbm n si mpy schottky bariyer diyotun bazi elektriksel parametrelerinin frekansa bagli kapasitans voltaj c v karakteristikleri ile incelenmesi |
topic | Schottky barrier diode Organic semiconductor Capacitance-voltage (C-V) characteristics Schottky bariyer diyot Organik yarıiletken Kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri |
url | http://dergipark.gov.tr/dubited/issue/4807/66211?publisher=duzce |
work_keys_str_mv | AT enginyaglioglu aup3htpcbmnsimpyschottkybariyerdiyotunbazıelektrikselparametrelerininfrekansabaglıkapasitansvoltajcvkarakteristikleriileincelenmesi AT ozgetuzunozmen aup3htpcbmnsimpyschottkybariyerdiyotunbazıelektrikselparametrelerininfrekansabaglıkapasitansvoltajcvkarakteristikleriileincelenmesi |