PCVD法单模光纤研制成功
<正> 1985年11月底,邮电部武汉邮电科学研究院光纤光缆研究室第二研究室,采用PCVD法（微波等离子体激活化学气相沉积法）研制单模光纤获得成功。单模光纤折射率分布为下陷包层阶跃型。包层掺F,沉积约1300层。芯层掺F和Ge,沉积约20层。在1.30μm波长衰耗≤1dB/km。截止波长在1.22—1.28μm波长范围。外径125...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1986-01-01
|
| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1986.01.007 |
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| description | <正> 1985年11月底,邮电部武汉邮电科学研究院光纤光缆研究室第二研究室,采用PCVD法（微波等离子体激活化学气相沉积法）研制单模光纤获得成功。单模光纤折射率分布为下陷包层阶跃型。包层掺F,沉积约1300层。芯层掺F和Ge,沉积约20层。在1.30μm波长衰耗≤1dB/km。截止波长在1.22—1.28μm波长范围。外径125 |
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