半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨
本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1994-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
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